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1. (WO2018137336) GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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Pub. No.: WO/2018/137336 International Application No.: PCT/CN2017/097843
Publication Date: 02.08.2018 International Filing Date: 17.08.2017
IPC:
H01L 33/04 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01)
Applicants: XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD.[CN/CN]; No. 841-899, Min An Road, Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100, CN
Inventors: CHEN, Bing-Yang; CN
CHANG, Chung-Ying; CN
LO, Yun-Ming; CN
HUANG, Wen-Chia; CN
CHEN, Fu-Chuan; CN
YEH, Meng-Hsin; CN
Priority Data:
201710053683.024.01.2017CN
Title (EN) GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 氮化镓基发光二极管及其制作方法
Abstract: front page image
(EN) A gallium nitride-based light emitting diode and a manufacturing method therefor, wherein the structure sequentially comprises: an n-type nitride layer (120), an active layer (140), an Alx1In(1-x1)N/Inx2Ga(1-x2)N superlattice electron blocking layer (150), and a p-type nitride layer (160); a surface of the active layer (140) is provided thereon with a V-type defect and a plane area, which is connected to the V-type defect, the Alx1In(1-x1)N/Inx2Ga(1-x2)N electron blocking layer (150) is formed at the plane area and extends to a sidewall area of the V-type defect; when a current is injected, holes are injected into the active layer (140) from a V-type defect position, and electrons are blocked at the plane area such that the same stay at the active layer (140).
(FR) L'invention concerne une diode électroluminescente à base de nitrure de gallium et son procédé de fabrication, la structure comprenant séquentiellement : une couche (120) de nitrure de type n, une couche active (140), une couche (150) de blocage d'électrons de super-réseau Alx1In(1-x1)N/Inx2Ga(1-x2)N, une couche (160) de nitrure de type p ; une surface de la couche active (140) étant disposée par-dessus, avec un défaut de type V et une zone plane, qui est reliée au défaut de type V, la couche de blocage d'électrons Alx1In(1-x1)N/Inx2Ga(1-x2)N est formée au niveau de la zone plane et s'étend jusqu'à une zone de paroi latérale du défaut de type V ; lors de l'injection d'un courant, des trous sont injectés dans la couche active (140) à partir d'une position du défaut de type V, et les électrons sont bloqués au niveau de la zone plane, de sorte que ces derniers restent au niveau de la couche active (140).
(ZH) 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法,其中结构依次包括:n型氮化物层(120)、有源层(140)、Al x1In (1-x1)N/In x2Ga (1-x2)N超晶格电子阻挡层(150)和p型氮化物层(160),所述有源层(140)表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区,所述Al x1In (1-x1)N/In x2Ga (1-x2)N电子阻挡层(150)形成于平面区并向所述V型缺陷侧壁区延伸,当注入电流时促使空穴从V型缺陷处注入有源层(140),并在平面区将电子阻挡使其停留在有源层(140)。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)