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1. (WO2018134086) SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR LASER
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Pub. No.: WO/2018/134086 International Application No.: PCT/EP2018/050459
Publication Date: 26.07.2018 International Filing Date: 09.01.2018
IPC:
H01S 5/183 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/42 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors: HALBRITTER, Hubert; DE
PLÖSSL, Andreas; DE
ENZMANN, Roland Heinrich; DE
BEHRINGER, Martin Rudolf; DE
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2017 100 997.319.01.2017DE
Title (EN) SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN TEL LASER À SEMI-CONDUCTEURS
(DE) HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN HALBLEITERLASERS
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to, in one embodiment, a semiconductor laser (1) comprising a surface-emitting semiconductor laser chip (4) having a semiconductor layer sequence (40) having an active zone (41) for generating laser radiation (L), and a light exit surface (44) that is oriented perpendicular to a growth direction (G) of the semiconductor layer sequence (40). The semiconductor laser (1) further comprises a diffractive optical element (3), which is designed for expanding and distributing the laser radiation (L) such that the semiconductor laser (1) is preferably eye-safe. An optically effective structure (33) of the diffractive optical element (3) is made of a material having a refractive index of at least 1.65 or 2.0.
(FR) La présente invention concerne le laser à semi-conducteurs (1), qui, dans un mode de réalisation, comporte une puce laser à semi-conducteurs (4), émettant par sa surface, qui comprend une série de couches semi-conductrices (40) ayant une zone active (41) pour la génération d’un faisceau laser (L) et une surface de sortie de lumière (44) qui est orientée perpendiculairement à une direction de croissance (G) de la série de couches semi-conductrices (40). Le laser à semi-conducteurs (1) comporte en outre un élément optique diffracteur (3) qui est agencé pour l’évasement et la répartition du faisceau laser (L) de sorte que le laser à semi-conducteurs (1) est de préférence sans danger pour les yeux. Une structure optiquement active (33) de l’élément optique diffracteur (3) est composée d’un matériau ayant un indice de réfraction d’au moins 1,65 ou 2,0.
(DE) In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchip (4), der eine Halbleiterschichtenfolge (40) mit einer aktiven Zone (41) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L) und eine Lichtaustrittsfläche (44), die senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (40) orientiert ist, aufweist. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) ein diffraktives optisches Element (3), das zur Aufweitung und Verteilung der Laserstrahlung (L) eingerichtet ist, so dass der Halbleiterlaser (1) bevorzugt augensicher ist. Eine optisch wirksame Struktur (33) des diffraktiven optischen Elements (3) ist aus einem Material mit einem Brechungsindex von mindestens 1,65 oder 2,0.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)