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1. (WO2018131060) SOLAR CELL
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Pub. No.: WO/2018/131060 International Application No.: PCT/JP2017/000401
Publication Date: 19.07.2018 International Filing Date: 10.01.2017
H01L 31/068 (2012.01)
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
adapted as conversion devices
characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY[JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-city Miyagi 9808577, JP
Inventors: Sugawa, Shigetoshi; JP
Kuroda, Rihito; JP
Agent: Fujimoto, Kenji; JP
Priority Data:
(JA) 太陽電池
(EN) [Problem] To provide a solar cell which is not affected or is substantially not easily affected by the irradiation history of UV light, and thus does not or substantially does not suffer degradation of service life. [Solution] The present invention provides a solar cell in which a UV degradation preventing layer under specific conditions is provided as a layer component. The UV degradation preventing layer has a layer thickness (d1+d2) in the range of 2-60 nm and contains semiconductor impurities, which contribute to semiconductor polarity, such that there is a semiconductor impurity concentration distribution in the thickness direction of the layer, and a maximum value (CDMax) of the concentration distribution in the layer. The maximum value (CDMax) is in the range satisfying equation (1) below, (1) 1x1019/cm3 ≤ maximum value (CDMax) ≤ 4x1020/cm3, the position of the half value (b1) of the maximum value (CDMax) is at a depth position (A1) from the surface on the light incidence side of the UV degradation preventing layer, and the depth position (A1) is in the range satisfying equation (3) below, (3) depth position (A0) of the maximum value (CDMax) < ("depth position (A1)") ≤ 20 nm.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir une cellule solaire qui n'est pas affectée ou qui n'est sensiblement pas affectée facilement par les antécédents d'exposition à un rayonnement lumineux UV, et qui ne subit donc pas ou sensiblement pas de dégradation de la durée de vie. La solution selon l'invention porte sur une cellule solaire dans laquelle une couche de prévention de dégradation aux UV dans des conditions spécifiques est fournie en tant que composant de couche. La couche anti-dégradation aux UV a une épaisseur de couche (d1 + d2) dans la plage de 2 à 60 nm et contient des impuretés semiconductrices, qui contribuent à la polarité de semiconducteur, de telle sorte qu'il y a une distribution de concentration d'impuretés de semiconducteur dans la direction de l'épaisseur de la couche, et une valeur maximale (CDMax) de la distribution de concentration dans la couche. La valeur maximale (CDMax) est dans la plage satisfaisant l'équation (1) ci-dessous, (1) 1x1019/cm3 ≤ valeur maximale (CDMax) ≤ 4x1020/cm3, la position de la demi-valeur (b1) de la valeur maximale (CDMax) est à une position de profondeur (A1) à partir de la surface sur le côté d'incidence de lumière de la couche de prévention de dégradation aux UV, et la position de profondeur (A1) est dans la plage satisfaisant l'équation (3) ci-dessous, (3) la position de profondeur (A0) de la valeur maximale (CDMax) < ("position de profondeur (A1)") ≤ 20 nm.
(JA) 【課題】課題の一つは、UV光の照射履歴の影響を受けないか実質的に影響を受けにくく、使用寿命の劣化がないか実質的に劣化がない太陽電池を提供することである。 【解決手段】特定条件下にあるUV劣化防止層を層構成要素の一つとして設けた太陽電池である。UV劣化防止層は、半導体極性に寄与する半導体不純物がその層厚方向に濃度分布し且つその内部に濃度分布の極大値(CMax)を有するように含有されており、その層厚(d1+d2)が2~60nmの範囲にあり、極大値(CMax)は以下の範囲にあり、 1x1019個/cm3 ≦ 極大値(CMax)≦ 4x1020個/cm3 ・・・式(1) 極大値(CMax)の半減値(b1)の位置がUV劣化防止層の光入射側の表面からの深さ位置(A1)にあり、その深さ位置(A1)が、 極大値(CMax)の深さ位置(A0)<(「深さ位置(A1)」)≦ 20nm・・・式(3) の範囲にある。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)