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1. (WO2018127514) ACTIVE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LINEARIZED JUNCTION CAPACITANCE
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Pub. No.: WO/2018/127514 International Application No.: PCT/EP2018/050136
Publication Date: 12.07.2018 International Filing Date: 03.01.2018
Chapter 2 Demand Filed: 30.10.2018
IPC:
H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/732 (2006.01) ,H01L 29/737 (2006.01) ,H01L 29/08 (2006.01) ,H01L 29/36 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 29/66][IPC code unknown for H01L 29/732][IPC code unknown for H01L 29/737][IPC code unknown for H01L 29/08][IPC code unknown for H01L 29/36]
Applicants:
TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT [NL/NL]; Stevinweg 1 2600 GA Delft, NL
Inventors:
DE VREEDE, Leonardus Cornelis Nicolaas; NL
VAN DER MEULEN, Johannes Michaël Maria; NL
Agent:
NEDERLANDSCH OCTROOIBUREAU; P.O. Box 29720 2502 LS The Hague, NL
Priority Data:
201811503.01.2017NL
Title (EN) ACTIVE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH LINEARIZED JUNCTION CAPACITANCE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ACTIF À CAPACITÉ DE JONCTION LINÉARISÉE
Abstract:
(EN) Three port active semiconductor device (1) comprising an active, reverse biased, semiconductor junction region. The active semiconductor junction region has an intrinsic capacitance (Ci, 11) which is non-linear as function of a voltage applied over the active semiconductor junction region. The semiconductor device (1) further comprises a capacitance linearization component (Ce, 12), which in combination with the intrinsic capacitance (Ci, 11) during operation provides a substantially linear capacitance-voltage relationship over a predetermined load line trajectory associated with the three port active semiconductor device (1). The capacitance linearization component is an additional component (Ce) connected in parallel to the intrinsic capacitance (Ci) of the active semiconductor junction region. In an embodiment the device is a vertical bipolar transistor, with base (6), emitter (5), collector (7), intrinsic region (11) and extrinsic region (12).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semiconducteur actif à trois ports (1) comprenant une région de jonction semiconductrice active, polarisée en inverse. La région de jonction semiconductrice active a une capacité intrinsèque (Ci, 11) qui est non linéaire en fonction d'une tension appliquée sur la région de jonction semiconductrice active. Le dispositif à semiconducteur (1) comprend en outre un composant de linéarisation de capacité (Ce, 12), qui, en combinaison avec la capacité intrinsèque (Ci, 11) pendant le fonctionnement, fournit une relation capacitance-tension sensiblement linéaire sur une trajectoire de ligne de charge prédéterminée associée au dispositif à semiconducteur actif à trois ports (1). Le composant de linéarisation de capacité est un composant supplémentaire (Ce) connecté en parallèle à la capacité intrinsèque (Ci) de la région de jonction semiconductrice active. Dans un mode de réalisation, le dispositif est un transistor bipolaire vertical, avec une base (6), un émetteur (5), un collecteur (7), une région intrinsèque (11) et une région extrinsèque (12).
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)