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1. (WO2018126679) X-RAY DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
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Pub. No.: WO/2018/126679 International Application No.: PCT/CN2017/096440
Publication Date: 12.07.2018 International Filing Date: 08.08.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14
including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144
Devices controlled by radiation
146
Imager structures
Applicants:
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd. Chaoyang Beijing 100015, CN
Inventors:
田慧 TIAN, Hui; CN
Agent:
北京律智知识产权代理有限公司 BEIJING INTELLEGAL INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.; 中国北京市 朝阳区慧忠路5号远大中心B座1802,1803,1805 1802, 1803, 1805 Tower B, Grand Place, No 5 Huizhong Road Chaoyang Beijing 100101, CN
Priority Data:
201710005101.104.01.2017CN
Title (EN) X-RAY DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONS X ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) X射线探测器及其制造方法
Abstract:
(EN) Provided are an X-ray detector and a manufacturing method thereof, which belong to the field of detection technology. The X-ray detector comprises : a base substrate (21); a plurality of detection modules (22) disposed on the base substrate (21), wherein any one of the plurality of detection modules (22) comprises a thin film transistor (TFT) (221), an insulating layer (222) provided with a via hole, and a photosensitive structure (223) that are sequentially arranged, a first electrode (E1) in the TFT (221) is electrically connected to the photosensitive structure (223) through the via hole on the insulating layer (222), and the first electrode (E1) is the source or the drain of the TFT (221); and a scintillation layer (23) provided on the base substrate (21) provided with the plurality of detection modules (22). By arranging the photosensitive structure (223) and the TFT (221) in separate layers, a photosensitive area of a photosensitive structure can be increased without being affected by the TFT (221). The invention solves the problem in which the detection accuracy of the X-ray detector is reduced when the photosensitive layer is enlarged, and achieves the effect of increasing the photosensitive area of the photosensitive structure (223) without compromising the detection accuracy of the X-ray detector.
(FR) L'invention concerne un détecteur de rayons X et son procédé de fabrication, qui appartiennent au domaine de la technologie de détection. Le détecteur de rayons X comprend : un substrat de base (21); une pluralité de modules de détection (22) disposés sur le substrat de base (21), l'un quelconque de la pluralité de modules de détection (22) comprend un transistor à couches minces (TFT) (221), une couche isolante (222) comprenant un trou d'interconnexion, et une structure photosensible (223) qui sont agencées de manière séquentielle, une première électrode (E1) dans le TFT (221) est électriquement connectée à la structure photosensible (223) à travers le trou d'interconnexion sur la couche isolante (222), et la première électrode (E1) est la source ou le drain du TFT (221); et une couche de scintillateur (23) disposée sur le substrat de base (21) comprend la pluralité de modules de détection (22). En disposant la structure photosensible (223) et le TFT (221) dans des couches séparées, une zone photosensible d'une structure photosensible peut être augmentée sans être affectée par le TFT (221). L'invention résout le problème dans lequel la précision de détection du détecteur de rayons X est réduite lorsque la couche photosensible est agrandie, et obtient l'effet d'augmentation de la zone photosensible de la structure photosensible (223) sans compromettre la précision de détection du détecteur de rayons X.
(ZH) 一种X射线探测器及其制造方法,属于探测技术领域。X射线探测器包括:衬底基板(21);衬底基板(21)上设置有多个探测模块(22),多个探测模块(22)中的任一探测模块包括依次设置的薄膜晶体管TFT(221)、设置有过孔的绝缘层(222)和感光结构(223),TFT(221)中的第一电极(E1)通过绝缘层(222)上的过孔和感光结构(223)电连接,第一电极(E1)为TFT(221)的源极或漏极;设置有多个探测模块(22)的衬底基板(21)上设置有闪烁层(23)。通过分层设置感光结构(223)和TFT(221),使得增大感光结构的感光面积时,不会受到TFT(221)的影响。解决现有技术中增大感光层时,X射线探测器的探测精度会降低的问题。达到了能够在不降低X射线探测器的探测精度的情况下,增大感光结构(223)的感光面积的效果。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)