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1. (WO2018125124) CREATING DIELECTRIC HELMET FILMS USING PULSED GAS DEPOSITION
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Pub. No.: WO/2018/125124 International Application No.: PCT/US2016/069145
Publication Date: 05.07.2018 International Filing Date: 29.12.2016
IPC:
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/768][IPC code unknown for H01L 21/02][IPC code unknown for H01L 21/205]
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
Inventors:
BIELEFELD, Jeffery D.; US
LIN, Kevin; US
Agent:
GUGLIELMI, David L.; US
Priority Data:
Title (EN) CREATING DIELECTRIC HELMET FILMS USING PULSED GAS DEPOSITION
(FR) CRÉATION DE FILMS DIÉLECTRIQUES DE CASQUE À L'AIDE D'UN DÉPÔT DE GAZ PULSÉ
Abstract:
(EN) An apparatus is provided which comprises: a semiconductor circuit substrate, a plurality of interconnect layers on different planes on the substrate, a plurality of metal traces in a first of the plurality of interconnect layers, a helmet dielectric film on the metal traces, wherein the helmet dielectric film comprises a first thickness on a top portion of the metal traces and a second thickness on sidewalls of the metal traces, the first thickness being greater than the second thickness, and interlayer dielectric material adjacent the helmet dielectric film. Other embodiments are also disclosed and claimed.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend : un substrat de circuit semiconducteur, une pluralité de couches d'interconnexion sur différents plans sur le substrat, une pluralité de traces métalliques dans une première couche parmi la pluralité de couches d'interconnexion, un film diélectrique de casque sur les traces métalliques, le film diélectrique de casque comprenant une première épaisseur sur une partie supérieure des traces métalliques et une seconde épaisseur sur les parois latérales des traces métalliques, la première épaisseur étant supérieure à la seconde épaisseur, et un matériau diélectrique intercouche adjacent au film diélectrique de casque. L'invention se rapporte également à d'autres modes de réalisation.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)