Search International and National Patent Collections
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persists, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018124133) RADIATION DETECTOR AND RADIOGRAPHIC IMAGING DEVICE
Document

明 細 書

発明の名称 放射線検出器及び放射線画像撮影装置

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003  

発明の概要

発明が解決しようとする課題

0004   0005  

課題を解決するための手段

0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022  

発明の効果

0023  

図面の簡単な説明

0024  

発明を実施するための形態

0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103   0104   0105   0106   0107   0108   0109   0110   0111   0112   0113   0114   0115   0116   0117   0118   0119   0120   0121   0122   0123   0124   0125  

符号の説明

0126  

請求の範囲

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17  

図面

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   22   23   24   25   26   27  

明 細 書

発明の名称 : 放射線検出器及び放射線画像撮影装置

技術分野

[0001]
 本開示は、放射線検出器及び放射線画像撮影装置に関する。

背景技術

[0002]
 従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線画像撮影装置が知られている。このような放射線画像撮影装置には、被写体を透過した放射線を検出し放射線画像を生成するための放射線検出器が用いられている。
[0003]
 放射線検出器としては、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された画素アレイと、放射線を光に変換する変換層と、変換層で変換された光を、基板側に反射させる反射層と、を備えたものがある(特開2014-71077号公報及び特開2014-185857号公報参照)。

発明の概要

発明が解決しようとする課題

[0004]
 上記従来の技術では、変換層と反射層との配置関係が適切ではない場合があり、放射線検出器によって得られる放射線画像の画質が低下する懸念があった。
[0005]
 本開示は、高画質の放射線画像が得られる放射線検出器及び放射線画像撮影装置を提供する。

課題を解決するための手段

[0006]
 本開示の第1の態様の放射線検出器は、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された画素アレイと、放射線を光に変換する変換層と、厚さが2μm以上、7μm以下の光透過性の粘着層と、変換層で変換された光を、基板側に反射させる反射層と、がこの順に設けられた部分を有する。
[0007]
 また、本開示の第2の態様の放射線検出器は、第1の態様の放射線検出器において、
画素領域を有し、画素領域に画素アレイが設けられた基板をさらに含む。
[0008]
 また、本開示の第3の態様の放射線検出器は、第1の態様の放射線検出器において、剥離層と、剥離層が設けられた基板と、をさらに含み、画素アレイは、剥離層を介して基板に設けられている、画素アレイが剥離層を介して設けられた基板をさらに含む。
[0009]
 また、本開示の第4の態様の放射線検出器は、第2の態様または第3の態様の放射線検出器において、変換層の外縁から基板の外縁との間に含まれる領域において基板を覆う部分を有する接着層と、変換層、変換層に積層された粘着層、及び粘着層に積層された反射層を含む積層体と、接着層とを覆う保護層と、をさらに備えている。
[0010]
 また、本開示の第5の態様の放射線検出器は、第4の態様の放射線検出器において、接着層が覆う領域は、積層体の基板と対向する面の少なくとも一部を含んでいる。
[0011]
 また、本開示の第6の態様の放射線検出器の粘着層は、第1の態様から第5の態様の何れか1態様の放射線検出器において、変換層の中央部を含む領域に設けられている。
[0012]
 また、本開示の第7の態様の放射線検出器は、第1の態様から第5の態様の何れか1態様の放射線検出器において、粘着層は、画素アレイを内包する領域において変換層を覆っている。
[0013]
 また、本開示の第8の態様の放射線検出器は、第1の態様から第7の態様の何れか1態様の放射線検出器において、変換層は、粘着層側が先端となるCsIの柱状結晶を含んでいる。
[0014]
 また、本開示の第9の態様の放射線検出器は、第8の態様の放射線検出器において、柱状結晶の先端は、粘着層に侵入していてもよい。
[0015]
 また、本開示の第10の態様の放射線検出器は、第1の態様から第7の態様の何れか1態様の放射線検出器において、変換層は、画素アレイに塗布されたGOSが分散された樹脂層である。
[0016]
 また、本開示の第11の態様の放射線検出器は、第1の態様から第10の態様の何れか1態様の放射線検出器において、反射層の材料は、白PETである。
[0017]
 また、本開示の第12の態様の放射線検出器は、第11の態様の放射線検出器において、反射層の厚さは、10μm以上、40μm以下である。
[0018]
 また、本開示の第13の態様の放射線検出器は、第1の態様から第12の態様の何れか1態様の放射線検出器において、反射層は、画素アレイに対応する領域に設けられている。
[0019]
 また、本開示の第14の態様の放射線検出器は、第1の態様から第13の態様の何れか1態様の放射線検出器において、反射層は、粘着層の屈折率と変換層の屈折率との差は、空気の屈折率と変換層の屈折率との差よりも小さい。
[0020]
 また、本開示の第15の態様の放射線検出器は、第1の態様から第14の態様の何れか1態様の放射線検出器において、変換層の周縁部は、外側に向かうほど厚さが薄くなる傾斜を有している。
[0021]
 また、本開示の第16の態様の放射線検出器は、第1の態様から第14の態様の何れか1態様の放射線検出器において、変換層は、少なくとも画素アレイを含む領域を覆っている。
[0022]
 本開示の第17の態様の放射線画像撮影装置は、第1の態様から第16の態様の何れか1態様の放射線検出器と、複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、制御信号に応じて複数の画素から電荷を読み出させる駆動部と、複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して制御部に出力する信号処理部と、を備える。

発明の効果

[0023]
 本開示によれば、高画質の放射線画像を得ることができる。

図面の簡単な説明

[0024]
[図1] 第1実施形態の放射線検出器におけるTFT基板の構成の一例を示す構成図である。
[図2] 第1実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側からみた平面図である。
[図3] 図2に示した放射線検出器のA-A線断面図である。
[図4] 本実施形態の変換層における周縁部と中央部とを説明するための断面図である。
[図5] 第1実施形態の放射線検出器における変換層、粘着層、及び反射層の一例について説明するための断面図である。
[図6] 粘着層の厚さと放射線検出器の性能との対応関係の一例を表すグラフである。
[図7] 第1実施形態の放射線検出器の製造方法の一例を説明する図である。
[図8] 第2実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側からみた平面図である。
[図9] 図8に示した放射線検出器のA-A線断面図である。
[図10] 第3実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側からみた平面図である。
[図11] 図10に示した放射線検出器のA-A線断面図である。
[図12] 第4実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側からみた平面図である。
[図13] 図12に示した放射線検出器のA-A線断面図である。
[図14] 第5実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側からみた平面図である。
[図15] 図14に示した放射線検出器のA-A線断面図である。
[図16] 第6実施形態の放射線検出器の一例を、変換層が設けられた側からみた平面図である。
[図17] 図16に示した放射線検出器のA-A線断面図である。
[図18] 第7実施形態の放射線検出器の一例の断面図である。
[図19] 第7実施形態の放射線検出器の他の例の断面図である。
[図20] 第7実施形態の放射線検出器における、画素アレイを挟んで対向する2つの変換層を有する構成の一例の断面図である。
[図21] 第7実施形態の放射線検出器における、画素アレイを挟んで対向する2つの変換層を有する構成の他の例の断面図である。
[図22] 放射線検出器における粘着層と反射層との関係について他の例の断面を表す断面図である。
[図23] 放射線検出器における画素領域について他の例の断面を表す断面図である。
[図24] 放射線検出器における画素領域と変換層との関係について他の例の断面を表す断面図である。
[図25] 実施形態の放射線検出器を適用した放射線画像撮影装置の一例の断面を表す断面図である。
[図26] 実施形態の放射線検出器を適用した放射線画像撮影装置の他の例の断面を表す断面図である。
[図27] 比較例の放射線検出器における変換層、粘着層、及び反射層の一例について説明するための断面図である。

発明を実施するための形態

[0025]
 以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態は本発明を限定するものではない。
[0026]
[第1実施形態]
 本実施形態の放射線検出器は、被写体を透過した放射線を検出して被写体の放射線画像を表す画像データを出力する機能を有する。本実施形態の放射線検出器は、TFT(Thin Film Transistor)基板と、放射線を光に変換する変換層と、を備えている(図3、放射線検出器10のTFT基板12及び変換層14参照)。
[0027]
 まず、図1を参照して本実施形態の放射線検出器におけるTFT基板12の構成の一例について説明する。図1に示すように本実施形態のTFT基板12は、基材11の画素領域35に、複数の画素30を含む画素アレイ31が形成された基板である。すなわち、TFT基板12は、基材11自身が画素アレイ31を備えた基板である。従って、以下では、「画素アレイ31」が設けられた領域は「画素領域35」と同義であるため、「画素アレイ31」について「画素領域35」と言い換える場合があり、また、「画素領域35」を「画素アレイ31」と言い換える場合がある。本実施形態のTFT基板12が、本開示の、 画素アレイを備えた基板の一例である。
[0028]
 基材11は、例えば、無アルカリガラス等のガラス基板や、ポリイミド等のプラスチックを含む樹脂シート等である。樹脂シートの具体例としては、XENOMAX(登録商標)が挙げられる。また、基材11は可撓性を有していてもよく、この場合、基材11としては、上記樹脂シートや比較的薄いガラス基板等が好ましい。可撓性を考慮すると、例えば、基材11が樹脂シートの場合、厚みが5μm~125μmのものが好ましい。また例えば、基材11がガラス基板の場合、一般に、一辺が43cm以下のサイズでは、厚さが0.3mm以下ならば可撓性を有しているため、厚さが0.3mm以下のものが好ましい。
[0029]
 画素30の各々は、センサ部34及びスイッチング素子32を含む。センサ部34は、変換層が変換した光に応じて電荷を発生して蓄積する。スイッチング素子32は、センサ部34にて蓄積された電荷を読み出す。本実施形態では、一例として、薄膜トランジスタ(TFT)をスイッチング素子32として用いている。そのため、以下では、スイッチング素子32を「TFT32」という。
[0030]
 複数の画素30は、TFT基板12の画素領域35に、一方向(図1の横方向に対応する走査配線方向、以下「行方向」ともいう)及び行方向に対する交差方向(図1の縦方向に対応する信号配線方向、以下「列方向」ともいう)に二次元状に配置されている。図1では、画素30の配列を簡略化して示しているが、例えば、画素30は行方向及び列方向に1024個×1024個配置される。
[0031]
 また、放射線検出器10には、TFT32のスイッチング状態(オン及びオフ)を制御するための複数の走査配線38と、画素30の列毎に備えられた、センサ部34に蓄積された電荷が読み出される複数の信号配線36と、が互いに交差して設けられている。複数の走査配線38の各々は、それぞれTFT基板12に設けられたパッド(図示省略)を介して、放射線検出器10の外部の駆動部(図25及び図26、駆動部103参照)に接続されることにより、駆動部から出力される、TFT32のスイッチング状態を制御する制御信号が流れる。また、複数の信号配線36の各々が、それぞれTFT基板12に設けられたパッド(図示省略)を介して、放射線検出器10の外部の信号処理部(図25及び図26、信号処理部104参照)に接続されることにより、各画素30から読み出された電荷が、信号処理部に出力される。
[0032]
 また、各画素30のセンサ部34には、各画素30にバイアス電圧を印加するために、共通配線39が信号配線36の配線方向に設けられている。共通配線39が、TFT基板12に設けられたパッド(図示省略)を介して、放射線検出器10の外部のバイアス電源に接続されることにより、バイアス電源から各画素30にバイアス電圧が印加される。
[0033]
 本実施形態の放射線検出器10では、TFT基板12上には、変換層14が形成されている。図2は、本実施形態の放射線検出器10を変換層14が形成された側からみた平面図である。また、図3は、図2における放射線検出器10のA-A線断面図である。なお、以下では、放射線検出器10の構造において「上」という場合、TFT基板12側を基準とした位置関係において上であることを表している。
[0034]
 図2及び図3に示すように、本実施形態の変換層14は、TFT基板12の画素領域35を含む一部の領域上に設けられている。このように、本実施形態の変換層14は、TFT基板12の外周部の領域上には設けられていない。
[0035]
 本実施形態では、変換層14の一例としてCsI(ヨウ化セシウム)を含むシンチレータを用いている。このようなシンチレータとしては、例えば、X線照射時の発光スペクトルが400nm~700nmであるCsI:Tl(タリウムが添加されたヨウ化セシウム)やCsI:Na(ナトリウムが添加されたヨウ化セシウム)を含むことが好ましい。なお、CsI:Tlの可視光域における発光ピーク波長は565nmである。
[0036]
 本実施形態の放射線検出器10では、図5に示した一例のように、変換層14は、TFT基板12上に直接、真空蒸着法、スパッタリング法、及びCVD(Chemical Vapor Deposition)法等の気相堆積法によって短冊状の柱状結晶14Aとして形成される。変換層14の形成方法としては、例えば、変換層14としてCsI:Tlを用いた場合、真空度0.01Pa~10Paの環境下、CsI:Tlを抵抗加熱式のるつぼ等の加熱手段により加熱して気化させ、TFT基板12の温度を室温(20℃)~300℃としてCsI:TlをTFT基板12上に堆積させる真空蒸着法が挙げられる。変換層14の厚さとしては、100μm~800μmが好ましい。
[0037]
 なお、本実施形態では、変換層14の柱状結晶14Aの、成長方向の基点側(本実施形態ではTFT基板12側)の端部を「根元」といい、成長方向における根元と反対側の尖った端部を「先端」という。
[0038]
 また、本実施形態の変換層14は、上述のように気相堆積法により形成しているため、図3に示すように、変換層14の外周部は、全体的に見ると外側に向かうほど厚さが薄くなる傾向を有しており、そのため、外側に向かうほど厚さが薄くなる傾斜を有している。本実施形態では、製造誤差及び測定誤差を無視すると厚さが略一定とみなせる、変換層14の中央から予め定められた範囲内における変換層14の厚さの平均値を基準とし、一例として図4に示したように、基準の厚さに対する相対的な膜厚(以下、「相対膜厚」という)が90%以下の外周の領域を「周縁部(周縁部14C)」という。また、図4に示すように、周縁部14Cに囲まれた変換層14の領域を「中央部(中央部14B)」という。換言すると、「中央部」とは、変換層14の厚さが略一定の部分を少なくとも含み、相対膜厚が90%を超える部分も含む領域のことをいう。本実施形態では、具体例として、変換層14の外周から5mm以内の領域内であり、かつ相対膜厚が90%以下の外周の領域を「周縁部(周縁部14C)」という。そのため、図3及び図4等に示すように、周縁部14Cでは、変換層14の厚さが外周に向けて徐々に薄くなる傾向にある。
[0039]
 さらに、本実施形態の放射線検出器10は、図2~図5に示すように、粘着層16、反射層18、接着層20、及び保護層22を備える。
[0040]
 粘着層16は、一例として図2及び図3に示すように、変換層14の周縁部14Cの一部及び中央部14Bの全体を含む領域上に設けられている。また、図5に示すように、本実施形態の放射線検出器10では、変換層14の先端が、粘着層16に侵入している。
[0041]
 本実施形態の粘着層16は、光透過性の層であり、粘着層16の材料としては、アクリル系粘着剤、ホットメルト系粘着剤、及びシリコーン系接着剤等が挙げられる。アクリル系粘着剤としては、例えば、ウレタンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート、及びエポキシアクリレート等が挙げられる。ホットメルト系粘着剤としては、例えば、EVA(エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂)、EAA(エチレンとアクリル酸の共重合樹脂)、EEA(エチレン-エチルアクリレート共重合樹脂)、及びEMMA(エチレン-メタクリル酸メチル共重合体)等の熱可塑性プラスチックが挙げられる。
[0042]
 本実施形態では、粘着層16の厚さXは、2μm以上、7μm以下である。また、材料によっても異なるが粘着層16の屈折率は、概ね1.5程度である。
[0043]
 一方、反射層18は、一例として図2及び図3に示すように、粘着層16上に設けられており、粘着層16そのものの上面全体を覆っている。反射層18は、変換層14で変換された光を、TFT基板12側に反射させる機能を有する。
[0044]
 反射層18の材料としては、有機系の材料を用いたものが好ましく、例えば、白PET(Polyethylene Terephthalate)、TiO 、Al 、発泡白PET、ポリエステル系高反射シート、及び鏡面反射アルミ等の少なくとも1つを材料として用いたものが好ましい。特に、反射率の観点から、白PETを材料として用いたものが好ましい。
[0045]
 なお白PETとは、PETに、TiO や硫酸バリウム等の白色顔料を添加したものである。また、ポリエステル系高反射シートとは、薄いポリエステルのシートを複数重ねた多層構造を有するシート(フィルム)である。また、発泡白PETとは、表面が多孔質になっている白PETである。
[0046]
 本実施形態では、反射層18の厚さは、10μm以上、40μm以下としている。反射層18の厚さが厚くなると、反射層18の外周部の上面と変換層14の上面との間の段差が大きくなる。本実施形態では、接着層20及び保護層22を上述した粘着層16と同様に、接着層20及び保護層22のシート(フィルム)を反射層18までが形成された状態のTFT基板12に貼り合わせることにより放射線検出器10を製造している。上記段差が大きいと、反射層18の上に接着層20及び保護層22を貼り合わせた場合に、この段差部分において、接着層20及び保護層22の少なくとも一方が浮き上がってしまう場合がある。
[0047]
 また、反射層18の厚さが厚くなると、いわばコシがある状態になるため、変換層14の周縁部14Cの傾斜に沿って曲がり難くなる場合があり、加工し難くなる。
[0048]
 これらの観点から検討した結果、本実施形態の放射線検出器10では、反射層18の材料として白PETを用いた場合、上述のように反射層18の厚さを40μm以下としている。
[0049]
 一方、反射層18の厚さが薄くなるほど、反射率が低下する。反射率が低下すると、放射線検出器10により得られる放射線画像の画質も低下する傾向がある。そのため、放射線検出器10により得られる放射線画像の画質の観点から、所望の反射率(例えば、80%)を考慮して反射層18の厚さの下限を定めることが好ましい。本実施形態の放射線検出器10では、反射層18の材料として白PETを用いた場合、上述のように反射層18の厚さを10μm以上としている。
[0050]
 一方、接着層20は、一例として図2及び図3に示すように、変換層14(反射層18)全体及び変換層14の周縁部14C近傍のTFT基板12を含む領域上に設けられている。換言すると、本実施形態の接着層20は、粘着層16及び反射層18全体を覆い、かつ、変換層14の外縁から基板12の外縁との間に含まれる領域であるTFT基板12の表面の一部を覆っている。接着層20は、反射層18を、TFT基板12及び変換層14に対して固定する機能を有する。
[0051]
 接着層20の材料としては、例えば、粘着層16と同様の材料が挙げられる。
[0052]
 さらに、保護層22は、一例として図2及び図3に示すように、接着層20上に設けられている。本実施形態の保護層22は、積層体19と、接着層20とを覆っている。積層体19は、変換層14、変換層14に積層された粘着層16、及び粘着層16に積層された反射層18を含む。本実施形態の保護層22は、変換層14を湿気等の水分から保護する機能を有する。また、本実施形態の保護層22は、接着層20と共に、反射層18を、TFT基板12及び変換層14に対して固定する機能を有する。
[0053]
 保護層22の材料としては、例えば、有機膜が挙げられる。有機膜としては、例えば、PET、PPS(PolyPhenylene Sulfide)、OPP(Oriented PolyPropylene)、PEN(PolyEthylene Naphthalate)、PI(PolyImide)等が挙げられる。また、保護層22としては、ポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート(フィルム)に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット(登録商標)のシートを用いてもよい。
[0054]
 本発明者らは、粘着層16の厚さXと、放射線検出器10によって得られる放射線画像の画質に関する性能(以下、単に放射線検出器10の「性能」という)との関係について見出したため、図6を参照して説明する。図6には、粘着層16の厚さXと放射線検出器10の性能との対応関係の一例を表すグラフを示す。
[0055]
 図6に示した対応関係では、放射線検出器10の性能として、感度、MTF(Modulation Transfer Function)、及びDQE(Detective Quantum Efficiency)を評価している。また、性能は、 放射線の線質をIEC(International Electrotechnical Commission)規格のIEC62220-1に準拠し、RQA5条件、かつ放射線の線量(吸収線量)を2.5μGyとして測定し、図27に一例を示した粘着層16を設けない比較例の放射線検出器100による測定値を100とした相対値として評価した。
[0056]
 また、性能の測定には、150μm四方の大きさの画素30を備えたTFT基板12上にCsIを用いた変換層14を形成した状態のものに対して、粘着層16のシート(フィルム)を貼り合わせ、さらに粘着層16上に反射層18、接着層20、及び保護層22をこの順で貼り合わせた放射線検出器を用いた。粘着層16のシートとして、100mのロール状の粘着シートから切り出したシートを用いた。そのため、粘着層16の厚さは、このロールの先頭及び最後の各々について幅方向の異なる3箇所の位置(合計6箇所の位置)の厚さについてSEM(Scanning Electron Microscope)を用いて測定し、測定値の平均値を粘着層の厚さXとした。また、粘着層16としては、アクリル系粘着剤を材料としたものを用いた。なお、粘着層16としてホットメルト系粘着剤を材料としたものを用いた場合においても、粘着層16の厚さXと、放射線検出器10の性能との対応関係について図6と同様の傾向が得られた。
[0057]
 粘着層16の厚さXが厚くなるほど、すなわち、変換層14と反射層18との間隔が広がるほど、変換層14により変換された光が粘着層16内でぼけてしまうため、結果として、放射線検出器10により得られる放射線画像がぼやけた画像となる。そのため、図6に示すように、粘着層16の厚さXが厚くなるほど、MTF及びDQEが低下し、かつその低下度合も大きくなる。
[0058]
 図6に示した一例の対応関係によれば、粘着層16の厚さXが7μmを越えると、DQEの低下度合がより大きくなり、粘着層16を設けない場合(厚さXが0μmの場合)よりも低下してしまう。そのため、本実施形態の放射線検出器10において、粘着層16の厚さXを7μm以下としている。
[0059]
 このように、上述した光のぼけを抑制する観点からは、粘着層16の厚さXは薄いことが好ましく、図27に示した比較例の放射線検出器100のように、粘着層16を設けないこと(厚さXが0μmの場合)がより好ましい。しかしながら、粘着層16を設けない場合、変換層14と反射層18との間、図27に示した比較例の放射線検出器100の場合では、領域102に、微小な空気層(図示省略)が入ってしまう。特に、変換層14が柱状結晶14Aを含む場合、柱状結晶14Aの先端が尖っているため、反射層18との間に空気が入り込みやすくなる。
[0060]
 これにより、変換層14で変換され、反射層18に向かった光が、空気層と変換層14との間、及び空気層と反射層18との間で多重反射を起こしてしまう。空気の屈折率は、約1であり、変換層14の屈折率はその材料によっても異なるがCsIを含む場合、概ね1.8程度である。このように空気の屈折率と変換層14との屈折率との差が比較的大きいため、反射層18で反射された光が空気層と変換層14との界面で反射しやすくなり、変換層14に戻り難くなる傾向がある。
[0061]
 多重反射によって光が減衰してしまうため、画素アレイ31の画素30のセンサ部34による電荷の発生に寄与する光が少なくなり、その結果、図6に示すように、感度及びDQEの低下を招いてしまう。
[0062]
 一方、図5に一例を示した粘着層16を設けた場合の放射線検出器10では、変換層14と反射層18との間に上述のような空気層が生じ難い。特に、図5に示した一例のように、変換層14の柱状結晶14Aの先端が、粘着層16に侵入している場合、空気層がより生じ難くなる。従って、上述のような多重反射が生じ難くなる。
[0063]
 また、上述したように粘着層16の屈折率は概ね1.5である。従って、粘着層16の屈折率と変換層14との屈折率との差は、空気の屈折率と変換層14の屈折率との差よりも小さい。そのため、空気層に比べて粘着層16のほうが変換層14との間での反射が生じ難くなり、反射層18で反射された光が変換層14に戻りやすくなる。
[0064]
 図6に示した一例の対応関係によれば、粘着層16の厚さXが2μm未満の場合、粘着層16の厚さが2μmの場合に比べて、感度及びDQEが低下する。そのため、本実施形態の放射線検出器10において、粘着層16の厚さXを2μm以上としている。なお、上述した粘着層16のロールの厚さの公差は一般的に、±2μm程度である。この場合、粘着層16の厚さXを公差である2μm未満とすると、変換層14と粘着層16との間に空気層が生じる懸念があるため、好ましくない。
[0065]
 なお、粘着層16は、反射層18を変換層14に固定する機能を有するが、粘着層16の厚さXが2μm以上であれば、反射層18が変換層14に対して面内方向(厚さ方向と交差する方向)においてずれてしまうことを抑制する十分な効果が得られる。
[0066]
 このように図2~図5に示した本実施形態の放射線検出器10では、TFT基板12の画素領域35を含む領域上に変換層14が設けられ、変換層14の周縁部14Cの一部及び中央部14Bを含む領域上に粘着層16が設けられ、粘着層16の上に反射層18が設けられている。また、本実施形態の放射線検出器10では、変換層14(反射層18)全体及び変換層14の周縁部14C近傍のTFT基板12を含む領域上に接着層20が設けられ、接着層20の上に保護層22が設けられている。
[0067]
 さらに、本実施形態の放射線検出器10では、粘着層16の厚さXが2μm以上、7μm以下である。
[0068]
 これにより、本実施形態の放射線検出器10によれば、変換層14で放射線から変換された光が画素アレイ31(TFT基板12)に入射しやすくなり、かつ、得られる放射線画像のぼけが抑制される。
[0069]
 なお、図2~図5に示した本実施形態の放射線検出器10は、基材11の厚さが比較的厚い、ガラス基板等の場合は、TFT基板12上に、上述したように変換層14、粘着層16、反射層18、接着層20、及び保護層22を順次形成すればよい。一方、基材11が、比較的薄い基板、例えば可撓性を有する基板の場合、図7に示した一例のように、基材11に比べて厚さの厚いガラス基板等の支持体50に、剥離層52を介して、例えば、ラミネート法等によりTFT基板12が形成される。さらに、上記と同様に、変換層14、粘着層16、反射層18、接着層20、及び保護層22を順次形成した後、剥離層52により、TFT基板12を支持体50から剥離する。剥離方法は特に限定されず、例えば、ラミネート法では、TFT基板12(基材11)の四辺のいずれかを剥離の起点とし、起点となる辺から対向する辺に向けて徐々にTFT基板12を支持体50から引きはがすことにより、メカニカル剥離を行えばよい。また、例えば、レーザ剥離(laser Lift Off)法では、支持体50の裏面(TFT基板12が設けられている面と反対側の面)からレーザを照射し、支持体50を透過したレーザにより剥離層52を分解させることにより、支持体50からTFT基板12を剥離すればよい。
[0070]
[第2実施形態]
 次に、第2実施形態について説明する。なお、本実施形態の放射線検出器10は、粘着層16及び反射層18を設ける領域が第1実施形態と異なるため、粘着層16及び反射層18を設ける領域について図面を参照して説明する。
[0071]
 図8は、本実施形態の放射線検出器10を変換層14が形成された側からみた平面図である。また、図9は、図8における放射線検出器10のA-A線断面図である。
[0072]
 図8及び図9に示すように、本実施形態の放射線検出器10では、粘着層16及び反射層18が、中央部及び周縁部を含む変換層14上の領域全体に設けられている。言い替えれば、本実施形態の粘着層16及び反射層18は、変換層14の上面全体を覆っている。一方、本実施形態の粘着層16及び反射層18は、TFT基板12の上に直接設けられてはいない。
[0073]
 このように図8及び図9に示した本実施形態の放射線検出器10によれば、第1実施形態の放射線検出器10に比べて、反射層18が大きく、変換層14の上面の全体を覆っているため、変換層14からの光が反射しやすくなる。
[0074]
[第3実施形態]
 次に、第3実施形態について説明する。なお、本実施形態の放射線検出器10は、粘着層16及び反射層18を設ける領域が上記各実施形態と異なるため、粘着層16及び反射層18を設ける領域について図面を参照して説明する。
[0075]
 図10は、本実施形態の放射線検出器10を変換層14が形成された側からみた平面図である。また、図11は、図10における放射線検出器10のA-A線断面図である。
[0076]
 図10及び図11に示すように、第2実施形態の放射線検出器10と同様に、本実施形態の放射線検出器10では、粘着層16及び反射層18が、中央部及び周縁部を含む変換層14上の領域全体に設けられている。言い替えれば、本実施形態の粘着層16及び反射層18は、変換層14の上面全体を覆っている。また、第2実施形態の放射線検出器10とは異なり、本実施形態の放射線検出器10では、粘着層16及び反射層18が設けられた領域が、変換層14の外周近傍のTFT基板12の上にまで至っている。言い替えれば、本実施形態の放射線検出器10では、変換層14の外周近傍のTFT基板12上には、粘着層16及び反射層18が直接設けられている。
[0077]
 このように図10及び図11に示した本実施形態の放射線検出器10によれば、第1実施形態の放射線検出器10に比べて、反射層18が大きく、変換層14の上面の全体を覆っているため、変換層14からの光が反射しやすくなる。また、本実施形態の放射線検出器10によれば、TFT基板12の上に粘着層16及び反射層18が至っているため、反射層18をTFT基板12及び変換層14に、より安定的に固定することができる。
[0078]
[第4実施形態]
 次に、第4実施形態について説明する。なお、本実施形態の放射線検出器10は、接着層20を設ける領域が第1実施形態と異なるため、接着層20を設ける領域について図面を参照して説明する。
[0079]
 図12は、本実施形態の放射線検出器10を変換層14が形成された側からみた平面図である。また、図13は、図12における放射線検出器10のA-A線断面図である。
[0080]
 図12及び図13に示すように、本実施形態の放射線検出器10では、接着層20が、変換層14の周縁部近傍のTFT基板12から反射層18(粘着層16)の外周部に至る領域上に設けられている。すなわち、本実施形態の放射線検出器10では、接着層20が反射層18及び変換層14の上面の全体を覆っていない。このように、接着層20が反射層18の外周上に設けられていることにより、本実施形態の放射線検出器10では、接着層20により、反射層18の特に端部が変換層14から剥がれるのを抑制することができる。
[0081]
 このように図12及び図13に示した本実施形態の放射線検出器10によれば、接着層20が変換層14の上面の全体を覆っていないため、放射線が保護層22側から照射されて変換層14に至るまでに接着層20を透過することによって減衰するのを抑制することができる。
[0082]
[第5実施形態]
 次に、第5実施形態について説明する。なお、本実施形態の放射線検出器10は、粘着層16及び反射層18を設ける領域が第3実施形態と同様であり、接着層20を設ける領域が第4実施形態と略同様である。粘着層16、反射層18、及び接着層20を設ける領域について図面を参照して説明する。
[0083]
 図14は、本実施形態の放射線検出器10を変換層14が形成された側からみた平面図である。また、図15は、図14における放射線検出器10のA-A線断面図である。
[0084]
 図14及び図15に示すように、本実施形態の放射線検出器10では、粘着層16及び反射層18が中央部及び周縁部を含む変換層14上の領域全体、及び変換層14の外周近傍のTFT基板12上の領域に設けられている。また、本実施形態の放射線検出器10では、接着層20が、変換層14の周縁部近傍のTFT基板12から反射層18(粘着層16)の外周部に至る領域上に設けられている。
[0085]
 このように図14及び図15に示した本実施形態の放射線検出器10によれば、反射層18が変換層14の上面全体を覆っているため、変換層14からの光が反射しやすくなる。また、本実施形態の放射線検出器10によれば、TFT基板12の上に粘着層16及び反射層18が至っているため、反射層18をTFT基板12及び変換層14に、より安定的に固定することができる。さらに、本実施形態の放射線検出器10は、接着層20が変換層14の上面の全体を覆っていない。そのため、本実施形態の放射線検出器10によれば、放射線が保護層22側から照射されて変換層14に至るまでに接着層20を透過することによって減衰するのを抑制することができる。
[0086]
[第6実施形態]
 次に、第6実施形態について説明する。なお、本実施形態の放射線検出器10は、接着層20を設ける領域が第1実施形態と異なるため、接着層20を設ける領域について図面を参照して説明する。
[0087]
 図16は、本実施形態の放射線検出器10を変換層14が形成された側からみた平面図である。また、図17は、図16における放射線検出器10のA-A線断面図である。
[0088]
 図16及び図17に示すように、本実施形態の放射線検出器10では、接着層20が、変換層14の外周近傍のTFT基板12の領域上に設けられており、変換層14及び反射層18上には設けられていない。
[0089]
 このように図16及び図17に示した本実施形態の放射線検出器10によれば、接着層20が変換層14の上面を覆っていないため、放射線が保護層22側から照射されて変換層14に至るまでに接着層20を透過することによって減衰するのを、より抑制することができる。
[0090]
[第7実施形態]
 上記各実施形態では、基材11の画素領域35に画素アレイ31が設けられたTFT基板12を備えた放射線検出器10について説明した。本実施形態では、基材11を有さない放射線検出器10について説明する。
[0091]
 図18は、本実施形態の放射線検出器10の一例の断面図を示す。図18に示すように、本実施形態の放射線検出器10は、第1実施形態の放射線検出器10(図2及び図3参照)と同様に、画素アレイ31、変換層14、粘着層16、反射層18、接着層20、及び保護層22を備えている。
[0092]
 また、図18に示すように本実施形態の放射線検出器10は、基材11(TFT基板12)を備えていない点で、第1実施形態の放射線検出器10(図3及び図4参照)と異なっている。換言すると、本実施形態では、基材11(TFT基板12)に画素領域35が設けられていない点で第1実施形態の放射線検出器10と異なっている。
[0093]
 本実施形態の放射線検出器10は、支持体となる基板60の上に、剥離層62を介して画素アレイ31を設けた後、さらに変換層14、粘着層16、反射層18、接着層20、及び保護層22を形成し、その後、剥離層62により基板60を剥離することにより製造される。このように製造されるため、本実施形態の放射線検出器10は、ガラス基板等の基材11を備えていない。
[0094]
 基板60としては、例えば、上記図7を参照して説明した支持体50と同様に、ガラス基板等を用いることができる。また、剥離層62としては、画素アレイ31から基板60を剥離するためのものであり、熱的方法、光学的方法、及び化学的方法の少なくとも1つの方法により、活性化される有機または無機の材料により形成される。剥離層62を活性化する方法の具体例としては、エッチングが挙げられる。なお、本実施形態の基板60が、本開示の剥離層が設けられた基板の一例である。
[0095]
 また、本実施形態の放射線検出器10は、図19に示した一例のように、画素アレイ31と変換層14との間に、バリア層64等の予め定められた機能を有する他の層を備えていてもよい。図19に示した放射線検出器10では、バリア層64を設けることにより、変換層14に含まれる蛍光材料が画素アレイ31に拡散するため、画素30が劣化することを抑制できる。また、バリア層64は、剥離層62をエッチングにより活性化する場合に、エッチストップとして機能する。このようなバリア層64としては、窒化シリコン等の無機材料、またはポリイミドまたはBCB(Benzocyclobutene)等の有機材料を適用することができる。
[0096]
 また、本実施形態の放射線検出器10は、画素アレイ31を挟んで、変換層14と対向する変換層をさらに備えていてもよい。例えば、図20に示した一例では、一対の変換層14、粘着層16、反射層18、接着層20、及び保護層22が画素アレイ31及びバリア層66を挟んで対向した状態に設けられている状態を示している。この場合のバリア層66としては、上記バリア層64と同様のものを用いることができる。
[0097]
 また、例えば、図21に示した一例では、画素アレイ31及び粘着層68を挟み、変換層14と対向して変換層74がさらに設けられている状態を示している。この場合の粘着層68としては、上記粘着層16と同様のものを用いることができる。また、この場合の変換層74としては、GOS(Gd S:Tb)等が樹脂等のバインダに分散されたものを適用することができる。
[0098]
 また、本実施形態の放射線検出器10は、例えば、図20に示した放射線検出器10や図21に示した放射線検出器10のように、放射線検出器10が、対向する2つの変換層を備える場合、変換層同士の間に、各々の変換層に対応する画素アレイ31を設けてもよい。換言すると、放射線検出器10は、放射線が照射される面が対向する状態に、2組の画素アレイ31及び変換層(変換層14または変換層74)を備えていてもよい。なお、この場合、変換層同士の間に、画素アレイ31同士の光学的なクロストークを低減するために、遮光層を設けてもよい。
[0099]
 このように図18~図21に示した本実施形態の放射線検出器10では、画素アレイ31上に変換層14が設けられ、変換層14の周縁部14Cの一部及び中央部14Bを含む領域上に粘着層16が設けられ、粘着層16の上に反射層18が設けられている。また、本実施形態の放射線検出器10では、変換層14(反射層18)全体及び変換層14の周縁部14C近傍の剥離層62(基板60)を含む領域上に接着層20が設けられ、接着層20の上に保護層22が設けられている。また、本実施形態の放射線検出器10においても、第1実施形態の放射線検出器10と同様に、粘着層16の厚さXが2μm以上、7μm以下である。
[0100]
 これにより、本実施形態の放射線検出器10によれば、変換層14で放射線から変換された光が画素アレイ31に入射しやすくなり、かつ、得られる放射線画像のぼけが抑制される。
[0101]
 以上説明したように、上記各実施形態の放射線検出器10は、放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素30が形成された画素アレイ31と、放射線を光に変換する変換層14と、厚さが2μm以上、7μm以下の光透過性の粘着層16と、変換層14で変換された光を、画素アレイ31に反射させる反射層18と、がこの順に設けられた部分を有する。
[0102]
 また、上記各実施形態の放射線検出器10では、粘着層16が変換層14の中央部を含む領域を覆っている。また、上記各実施形態の放射線検出器10では、粘着層16が画素アレイ31を内包する領域において変換層14を覆っている。
[0103]
 上記構成により、上記各実施形態の放射線検出器10によれば、変換層14で放射線から変換された光が画素アレイ31に入射しやすくなり、かつ、得られる放射線画像のぼけが抑制される。
[0104]
 従って、上記各実施形態の放射線検出器10によれば、高画質の放射線画像が得られる。
[0105]
 また、上記各実施形態の放射線検出器10は、反射層18の側面が接着層20及び保護層22、または保護層22により覆われている。反射層18の側面が露出している場合、露出している箇所から湿気等の水分が内部に侵入する懸念があるが、上記各実施形態の放射線検出器10では、反射層18の側面が少なくとも保護層22により覆われているため、防湿効果を高めることができる。
[0106]
 なお、上記各実施形態の放射線検出器10で反射層18が設けられた領域と粘着層16が設けられた領域が同様である態様について説明したが、この態様に限定されない。例えば、粘着層16の上面全体ではなく、図22に示した一例のように、粘着層16の上面の一部の領域に反射層18が設けられた態様としてもよい。
[0107]
 また、画素領域35と、変換層14、粘着層16、及び反射層18との配置関係も上記各実施形態に限定されない。例えば、上記各実施形態では、反射層18が画素アレイ31(画素領域35)全体を覆う態様について説明したが、図23に示した一例のように、反射層18が画素アレイ31(画素領域35)の外周部を覆っていない態様であってもよい。なお、上記各実施形態の放射線検出器10のように、反射層18が画素アレイ31(画素領域35)の全体を覆う態様のほうが、図23に示した放射線検出器10に比べて、画素アレイ31(画素領域35)の外周部に位置する画素30に応じて得られる放射線画像の画質が向上する。
[0108]
 また、例えば、上記各実施形態では、画素アレイ31(画素領域35)の外周が変換層14の周縁部14Cに至る態様について説明したが、図24に示した一例のように、画素アレイ31(画素領域35)の外周が中央部14B内にある、すなわち画素アレイ31(画素領域35)の大きさが変換層14の中央部14Bの大きさよりも小さい態様であってもよい。変換層14で放射線から変換される光量は変換層14の厚さが薄くなると減少する傾向にあるが、このように図24に示した一例の形態では、画素アレイ31(画素領域35)上の変換層14の厚さがほぼ均一となるため、画素アレイ31の感度特性が向上する。
[0109]
 また、上記各実施形態では、図1に示したように画素30がマトリクス状に2次元配列されている態様について説明したがこれに限らず、例えば、1次元配列であってもよいし、ハニカム配列であってもよい。また、画素の形状も限定されず、矩形であってもよいし、六角形等の多角形であってもよい。さらに、画素アレイ31(画素領域35)の形状も限定されないことはいうまでもない。
[0110]
 また、変換層14の形状等も上記各実施形態に限定されない。上記各実施形態では、変換層14の形状が画素アレイ31(画素領域35)の形状と同様に矩形状である態様について説明したが、変換層14の形状は、画素アレイ31(画素領域35)と同様の形状でなくてもよい。また、画素アレイ31(画素領域35)の形状が、矩形状ではなく、例えば、その他の多角形であってもよいし、円形であってもよい。
[0111]
 なお、上記各実施形態では、一例として、放射線検出器10の変換層14がCsIを含むシンチレータである形態について説明したが、変換層14は、GOS等が樹脂等のバインダに分散されたシンチレータであってもよい。GOSを用いた変換層14は、例えば、TFT基板12や剥離層62等の上に、GOSが分散されたバインダを直接塗布した後、乾燥させて固化させることにより形成される。変換層14の形成方法としては、例えば、塗布膜の厚みを制御しながら変換層14を形成する領域に塗布液を塗布するギーザ法を採用してもよい。なお、この場合、GOSが分散されたバインダを塗布する前に、画素アレイ31の表面を活性化するための表面処理を行ってもよい。また、画素アレイ31の表面に層間絶縁膜は表面保護膜を設けてもよい。
[0112]
 画素アレイ31の表面は、数μm程度凹凸が生じている。そのため、画素アレイ31の表面上に、GOSを用いた変換層14を直接塗布すると、変換層14の表面にも凹凸が生じる。この凹凸により空気層が生じ、上述したCsIを用いた変換層14と同様に、変換層14で変換され、反射層18に向かった光が、空気層と変換層14との間、及び空気層と反射層18との間で多重反射を起こしてしまい、減衰してしまう。画素アレイ31の画素30のセンサ部34による電荷の発生に寄与する光が少なくなり、その結果、感度及びDQEの低下を招いてしまう。
[0113]
 そのため、粘着層16を設けることにより、凹凸により生じる空気層を生じ難くすることができる。従って、上述のような多重反射が生じ難くなる。しかしながら、第1実施形態において上述したように、粘着層16の厚さXが薄い場合、感度及びDQEが低下する。一方、粘着層16の厚さXが厚くなるほど、放射線検出器10により得られる放射線画像がぼやけた画像となる。そのため、GOSを用いた変換層14においても、CsIを用いた変換層14と同様に、粘着層16の厚さXは、2μm以上、7μm以下とされる。
[0114]
 なお、上記各実施形態の放射線検出器10は、TFT基板12側から放射線が照射される表面読取方式(ISS:Irradiation Side Sampling方式)の放射線画像撮影装置に適用してもよいし、変換層14側から放射線が照射される裏面読取方式(PSS:Penetration Side Sampling方式)の放射線画像撮影装置に適用してもよい。
[0115]
 図25には、表面読取方式の放射線画像撮影装置1に第1実施形態の放射線検出器10を適用した状態の一例の断面図を示す。
[0116]
 図25に示すように、筐体120内には、放射線検出器10、電源部108、及び制御基板110が放射線の入射方向と交差する方向に並んで設けられている。放射線検出器10は、被写体を透過した放射線が照射される筐体120の撮影面120A側に、画素アレイ31の変換層14が設けられていない側が対向する状態に設けられている。
[0117]
 制御基板110は、画素アレイ31の画素30から読み出された電荷に応じた画像データを記憶する画像メモリ210や画素30からの電荷の読み出し等を制御する制御部212等が形成された基板であり、複数の信号配線を含むフレキシブルケーブル112により画素アレイ31の画素30と電気的に接続されている。なお、図25に示した放射線画像撮影装置1では、制御部212の制御により画素30のTFT32のスイッチング状態を制御する駆動部103、及び画素30から読み出された電荷に応じた画像データを生成して出力する信号処理部104がフレキシブルケーブル112上に設けられた、いわゆる、COF(Chip On Film)としているが、駆動部103及び信号処理部104の少なくとも一方が制御基板110に形成されていてもよい。
[0118]
 また、制御基板110は、電源線114により、制御基板110に形成された画像メモリや210や制御部212等に電源を供給する電源部108と接続されている。
[0119]
 図25に示した放射線画像撮影装置1の筐体120内には、放射線検出器10を透過した放射線が出射される側にシート116がさらに設けられている。シート116としては、例えば、銅製のシートが挙げられる。銅製のシートは入射した放射線によって2次放射線を発生し難く、よって、後方、すなわち変換層14側への散乱を防止する機能を有する。なお、シート116は、少なくとも変換層14の放射線が出射する側の面全体を覆い、また、変換層14全体を覆うこと好ましい。
[0120]
 また、図25に示した放射線画像撮影装置1の筐体120内には、放射線が入射される側(撮影面120A側)に保護層117がさらに設けられている。保護層117としては、絶縁性のシート(フィルム)に、アルミ箔を接着させる等してアルミを積層したアルペット(登録商標)のシート、パリレン(登録商標)膜、及びポリエチレンテレフタレート等の絶縁性のシート等の防湿膜が適用できる。保護層117は、画素アレイ31に対する防湿機能及び帯電防止機能を有している。そのため、保護層117は、少なくとも画素アレイ31の放射線が入射される側の面全体を覆うことが好ましく、放射線が入射される側のTFT基板12の面全体を覆うことが好ましい。
[0121]
 なお、図25では、電源部108及び制御基板110の両方を放射線検出器10の一方の側、具体的には、矩形状の画素アレイ31の一方の辺の側に設けた形態を示したが、電源部108及び制御基板110を設ける位置は図25に示した形態に限定されない。例えば、電源部108及び制御基板110を、画素アレイ31の対向する2辺の各々に分散させて設けてもよいし、隣接する2辺の各々に分散させて設けてもよい。
[0122]
 また、図26には、表面読取方式の放射線画像撮影装置1に第1実施形態の放射線検出器10を適用した状態の他の例の断面図を示す。
[0123]
 図26に示すように、筐体120内には、電源部108及び制御基板110が放射線の入射方向と交差する方向に並んで設けられており、放射線検出器10と電源部108及び制御基板110とは放射線の入射方向に並んで設けられている。
[0124]
 また、図26に示した放射線画像撮影装置1では、制御基板110及び電源部108とシート116との間に、放射線検出器10及び制御基板110を支持する基台118が設けられている。基台118には、例えば、カーボン等が用いられる。
[0125]
 その他、上記各実施形態で説明した放射線検出器10等の構成や製造方法等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることはいうまでもない。
 2016年12月26日出願の日本国特許出願2016-251802号の開示、及び2017年6月28日出願の日本国特許出願2017-126682号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
 本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

符号の説明

[0126]
1 放射線画像撮影装置
10、100 放射線検出器
11 基材
12 TFT基板
14、74 変換層
14A 柱状結晶
14B 中央部
14C 周縁部
16、68 粘着層
18 反射層
19 積層体
20 接着層
22 保護層
30 画素
31 画素アレイ
32 TFT
34 センサ部
35 画素領域
36 信号配線
38 走査配線
39 共通配線
50 支持体
52、62 剥離層
60 基板
64、66 バリア層
74 変換層
102 領域
103 駆動部
104 信号処理部
108 電源部
110 制御基板
112 フレキシブルケーブル
114 電源線
116 シート
117 保護層
118 基台
120 筐体
120A 撮影面
210 画像メモリ
212 制御部
X 厚さ

請求の範囲

[請求項1]
 放射線から変換された光に応じて発生した電荷を蓄積する複数の画素が形成された画素アレイと、
 前記放射線を光に変換する変換層と、
 厚さが2μm以上、7μm以下の光透過性の粘着層と、
 前記変換層で変換された光を、前記画素アレイ側に反射させる反射層と、
 がこの順に設けられた部分を有する放射線検出器。
[請求項2]
 前記画素アレイを備えた基板をさらに含む、
 請求項1に記載の放射線検出器。
[請求項3]
 剥離層と、
 前記剥離層が設けられた基板と、
 をさらに含み、
 前記画素アレイは、剥離層を介して基板に設けられている、
 請求項1に記載の放射線検出器。
[請求項4]
 前記変換層の外縁から前記基板の外縁との間に含まれる領域において前記基板を覆う部分を有する接着層と、
 前記変換層、前記変換層に積層された前記粘着層、及び前記粘着層に積層された前記反射層を含む積層体と、前記接着層とを覆う保護層と、
 をさらに備えた、
 請求項2または請求項3に記載の放射線検出器。
[請求項5]
 前記接着層が覆う領域は、前記積層体の前記基板と対向する面の少なくとも一部を含む、
 請求項4に記載の放射線検出器。
[請求項6]
 前記粘着層は、前記変換層の中央部を含む領域を覆う、
 請求項1から請求項5の何れか1項に記載の放射線検出器。
[請求項7]
 前記粘着層は、前記画素アレイを内包する領域において前記変換層を覆う、
 請求項1から請求項5の何れか1項に記載の放射線検出器。
[請求項8]
 前記変換層は、前記粘着層側が先端となるCsIの柱状結晶を含む、
 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の放射線検出器。
[請求項9]
 前記柱状結晶の先端は、前記粘着層に侵入している、
 請求項8に記載の放射線検出器。
[請求項10]
 前記変換層は、前記画素アレイに塗布されたGOSが分散された樹脂層である、
 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の放射線検出器。
[請求項11]
 前記反射層の材料は、白PETである、
 請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の放射線検出器。
[請求項12]
 前記反射層の厚さは、10μm以上、40μm以下である、
 請求項11に記載の放射線検出器。
[請求項13]
 前記反射層は、前記画素アレイに対応する領域に設けられている、
 請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の放射線検出器。
[請求項14]
 前記粘着層の屈折率と前記変換層の屈折率との差は、空気の屈折率と前記変換層の屈折率との差よりも小さい、
 請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の放射線検出器。
[請求項15]
 前記変換層の周縁部は、外側に向かうほど厚さが薄くなる傾斜を有する、
 請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の放射線検出器。
[請求項16]
 前記変換層は、少なくとも前記画素アレイを含む領域を覆っている、
 請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の放射線検出器。
[請求項17]
 請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の放射線検出器と、
 前記複数の画素に蓄積された電荷を読み出すための制御信号を出力する制御部と、
 前記制御信号に応じて前記複数の画素から電荷を読み出させる駆動部と、
 前記複数の画素から読み出された電荷に応じた電気信号が入力され、入力された電気信号に応じた画像データを生成して前記制御部に出力する信号処理部と、
 を備えた放射線画像撮影装置。

図面

[ 図 1]

[ 図 2]

[ 図 3]

[ 図 4]

[ 図 5]

[ 図 6]

[ 図 7]

[ 図 8]

[ 図 9]

[ 図 10]

[ 図 11]

[ 図 12]

[ 図 13]

[ 図 14]

[ 図 15]

[ 図 16]

[ 図 17]

[ 図 18]

[ 図 19]

[ 図 20]

[ 図 21]

[ 図 22]

[ 図 23]

[ 図 24]

[ 図 25]

[ 図 26]

[ 図 27]