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1. (WO2018121611) GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR-BASED LED FULL COLOR DISPLAY DEVICE STRUCTURE AND PREPARING METHOD
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Pub. No.: WO/2018/121611 International Application No.: PCT/CN2017/119025
Publication Date: 05.07.2018 International Filing Date: 27.12.2017
IPC:
H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: ZHANG, Xijuan[CN/CN]; CN
Inventors: ZHANG, Xijuan; CN
Agent: J.Z.M.C. PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE (GENERAL PARTNERSHIP); YU Mingwei, Room5022 No.335, GUO Ding Road, Yangpu District Shanghai 200433, CN
Priority Data:
201611263484.430.12.2016CN
Title (EN) GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR-BASED LED FULL COLOR DISPLAY DEVICE STRUCTURE AND PREPARING METHOD
(FR) STRUCTURE DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE À DEL MULTICOLORE À BASE DE SEMICONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III-V ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 基于III-V族氮化物半导体的LED全彩显示器件结构及制备方法
Abstract: front page image
(EN) A group III-V nitride semiconductor-based LED full color display device structure and a preparing method. The structure comprises: an active-matrix-driven silicon-based backplane (1), comprising several driving units (11); an LED micropixel array, located on the surface of the active-matrix-driven silicon-based backplane (1), and comprising several LED micropixels (2), each of the LED micropixels comprising a light emitting material layer (21) and an anode (22), the anode (22) of the LED micropixel (22) connecting to the anode (22) of the driving unit (11) corresponding thereto, and the light emitting material layer (21) being located on the surface of the anode (22) of the LED micropixel (22); a first conductive type of group III-V nitride layer (3), located on the surface of the light emitting material layer (21) of each LED micropixel and connecting the LED micropixels (2); and a color conversion film (4) needed by color display, located on the surface of the first conductive type of group III-V nitride layer (3). Each LED micropixel (2) and each color conversion film (4) are connected by means of the first conductive type of group III-V nitride layer (3) having a very small thickness, not only shortening the spacing between adjacent LED micropixels (2) to improve resolution, but also reducing crosstalk between adjacent color conversion films.
(FR) L'invention concerne une structure de dispositif d'affichage à DEL multicolore à base de semi-conducteur au nitrure du groupe III-V et un procédé de préparation. La structure comprend : un fond de panier à base de silicium à matrice active (1), comprenant plusieurs unités d'entraînement (11); une matrice de micropixels de DEL, située sur la surface du fond de panier à base de silicium à matrice active (1), et comprenant plusieurs micropixels de DEL (2), chacun des micropixels de DEL comprenant une couche de matériau électroluminescent (21) et une anode (22), l'anode (22) du micropixel de DEL (22) se connectant à l'anode (22) de l'unité d'entraînement (11) correspondant à celle-ci, et la couche de matériau électroluminescent (21) étant située sur la surface de l'anode (22) du micropixel de DEL (22); un premier type de conductivité de la couche de nitrure du groupe III-V (3), situé sur la surface de la couche de matériau électroluminescent (21) de chaque micropixel de DEL et connectant les micropixels de DEL (2); et un film de conversion de couleur (4) nécessaire pour un affichage de couleur, situé sur la surface du premier type de conductivité de la couche de nitrure du groupe III-V (3). Chaque micropixel de DEL (2) et chaque film de conversion de couleur (4) sont connectés au moyen du premier type de conductivité de la couche de nitrure du groupe III-V (3) ayant une très petite épaisseur, ne réduisant non seulement pas l'espacement entre des micropixels de DEL adjacents (2) pour améliorer la résolution, mais également réduisant la diaphonie entre des films de conversion de couleur adjacents.
(ZH) 一种基于III-V族氮化物半导体的LED全彩显示器件结构及制备方法,包括:有源矩阵驱动硅基背板(1),包括若干个驱动单元(11);LED微像素阵列,位于有源矩阵驱动硅基背板(1)表面,包括若干个LED微像素(2);各LED微像素(2)均包括发光材料层(21)及阳极(22),各LED微像素(2)的阳极(22)分别与与其对应的驱动单元(11)的阳极(22)相连接;发光材料层(21)位于LED微像素的阳极(22)表面;第一导电类型III-V族氮化物层(3),位于各LED微像素的发光材料层(21)表面,且将各LED微像素(2)相连接;彩色显示所需的颜色转换膜(4),位于第一导电类型的III-V族氮化物层(3)表面。各LED微像素(2)及各颜色转换膜(4)均通过厚度很小的第一导电类型III-V族氮化物层(3)相连接,既可以缩小相邻LED微像素(2)的间距,以提高分辨率,又可以降低相邻颜色转换膜之间的串扰。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)