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1. (WO2018120878) POWER TRANSISTOR BIAS CIRCUIT
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Pub. No.: WO/2018/120878 International Application No.: PCT/CN2017/099367
Publication Date: 05.07.2018 International Filing Date: 28.08.2017
IPC:
H02M 1/088 (2006.01)
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
M
APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1
Details of apparatus for conversion
08
Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
088
for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
Applicants:
华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区坂田华为总部办公楼 Huawei Administration Building Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventors:
王新宇 WANG, Xinyu; CN
谢强 XIE, Qiang; CN
陈亮 CHEN, Liang; CN
Agent:
北京中博世达专利商标代理有限公司 BEIJING ZBSD PATENT&TRADEMARK AGENT LTD.; 中国北京市 海淀区交大东路31号11号楼8层 8F, Building 11 No. 31 Jiaoda East Road,Haidian District Beijing 100044, CN
Priority Data:
201611249750.829.12.2016CN
Title (EN) POWER TRANSISTOR BIAS CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE POLARISATION DE TRANSISTOR DE PUISSANCE
(ZH) 一种功率管偏置电路
Abstract:
(EN) A power transistor bias circuit relates to the field of electronic technology, can reduce effects on a bias voltage of a power transistor caused by switching thereof, and improves the stability of a control loop and the reliability of the power transistor. The specific solution is that the power transistor bias circuit comprises: a first p-type field-effect transistor (21), a second p-type field-effect transistor (22), a p-type field-effect transistor drive module (23), a first voltage stabilizing capacitor (24), a first bias module (25), a first n-type field-effect transistor (31), a second n-type field-effect transistor (32), a n-type field-effect transistor drive module (33), a second voltage stabilizing capacitor (34), a second bias module (35), and a PWM controller (41). The first bias module (25) presets, according a reference voltage, coefficients and a power voltage (PVDD) to obtain and output a first bias voltage. The second bias module (35) presets, according to the reference voltage, coefficients and a power ground voltage (PGND) to obtain and output a second bias voltage. A voltage difference between the PVDD and the first bias voltage equals to a voltage difference between the second bias voltage and the PGND.
(FR) Le circuit de polarisation de transistor de puissance de l’invention appartient au domaine de la technologie électronique, il permet de réduire les effets causés sur une tension de polarisation d’un transistor de puissance par sa propre commutation, et il améliore la stabilité d’une boucle de commande et la fiabilité du transistor de puissance. La solution spécifique est un circuit de polarisation de transistor de puissance qui comprend : un premier transistor à effet de champ de type P (21), un deuxième transistor à effet de champ de type P (22), un module d’attaque de transistor à effet de champ de type P (23), un premier condensateur de stabilisation de tension (24), un premier module de polarisation (25), un premier transistor à effet de champ de type N (31), un deuxième transistor à effet de champ de type N (32), un module d’attaque de transistor à effet de champ de type N (33), un deuxième condensateur de stabilisation de tension (34), un deuxième module de polarisation (35) et un dispositif de commande PWM (41). Le premier module de polarisation (25) prédéfinit, en fonction d’une tension de référence, des coefficients et une tension d’alimentation (PVDD) pour obtenir et délivrer en sortie une première tension de polarisation. Le deuxième module de polarisation (35) prédéfinit, en fonction de la tension de référence, des coefficients et une tension de mise à la terre d’alimentation (PGND) pour obtenir et délivrer en sortie une deuxième tension de polarisation. Une différence de tension entre PVDD et la première tension de polarisation est égale à une différence de tension entre la deuxième tension de polarisation et PGND.
(ZH) 一种功率管偏置电路,涉及电子技术领域,可以减少功率管的开关动作对其偏置电压的影响,并提高控制环路的稳定性和功率管的可靠性。具体方案为:功率管偏置电路包括:第一P型场效应管(21)、第二P型场效应管(22)、P型场效应管驱动模块(23)、第一稳压电容(24)、第一偏置模块(25)、第一N型场效应管(31)、第二N型场效应管(32)、N型场效应管驱动模块(33)、第二稳压电容(34)、第二偏置模块(35)和PWM控制器(41);第一偏置模块(25)根据基准电压、预设系数和PVDD功率电压得到并输出第一偏置电压;第二偏置模块(35)根据基准电压、预设系数、PGND功率地电压得到并输出第二偏置电压;PVDD功率电压与第一偏置电压的电压差等于第二偏置电压与PGND功率地电压的电压差。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)