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1. (WO2018120510) QUANTUM DOT MATERIAL, PREPARATION METHOD THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/120510 International Application No.: PCT/CN2017/080588
Publication Date: 05.07.2018 International Filing Date: 14.04.2017
IPC:
H01L 51/50 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 51/50]
Applicants:
TCL集团股份有限公司 TCL CORPORATION [CN/CN]; 中国广东省惠州市 仲恺高新技术开发区十九号小区 No.19 Community, Zhongkai Hi-Tech Development District Huizhou, Guangdong 516006, CN
Inventors:
杨一行 YANG, Yixing; CN
刘政 LIU, Zheng; CN
钱磊 QIAN, Lei; CN
Agent:
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) JOHNSON INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY (SHENZHEN); 中国广东省深圳市 南山区麒麟路1号南山知识服务大楼308-309号 Room 308-309, Knowledge Service Building No.1, Qilin Road, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518052, CN
Priority Data:
201611256988.330.12.2016CN
Title (EN) QUANTUM DOT MATERIAL, PREPARATION METHOD THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MATÉRIAU À POINTS QUANTIQUES, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(ZH) 一种量子点材料、制备方法及半导体器件
Abstract:
(EN) Disclosed are a quantum dot material, a preparation method therefor, and a semiconductor device. The quantum dot material comprises N quantum dot structure units arranged in a radial direction in sequence, wherein N is greater than or equal to 1. The quantum dot structure units are gradually-varied alloy component structures with energy level width becoming larger from inside out in the radial direction, and the energy level widths of adjacent quantum dot structure units are continuous. The present invention provides a novel quantum dot material having alloy components gradually varying from inside out in the radial direction. The novel quantum dot material not only achieves higher luminous efficiency of quantum dot materials, but also satisfies requirements of a semiconductor device and a corresponding display technology for comprehensive performance of the quantum dot materials, and is an ideal quantum dot light-emitting material applicable to the semiconductor device and the display technology.
(FR) L’invention concerne un matériau à points quantiques, son procédé de préparation, et un dispositif à semi-conducteurs. Le matériau à points quantiques comprend N unités de structure de point quantique agencées dans une direction radiale en séquence, N étant supérieur ou égal à 1. Les unités de structure de point quantique sont des structures à composants d'alliage subissant une variation progressive avec une largeur de niveau d'énergie qui augmente en allant de l'intérieur vers l'extérieur dans la direction radiale, et les largeurs de niveau d'énergie d'unités de structure de point quantique adjacentes sont continues. La présente invention procure un nouveau matériau à points quantiques ayant des composants d'alliage qui varient progressivement de l'intérieur vers l'extérieur dans la direction radiale. Le nouveau matériau à points quantiques non seulement permet d'atteindre une plus haute efficacité lumineuse de matériaux à points quantiques, mais en outre satisfait les exigences d'un dispositif à semi-conducteurs et d'une technologie d'affichage correspondante en termes de performances globales des matériaux à points quantiques, et est un matériau électroluminescent à points quantiques idéal applicable au dispositif à semi-conducteurs et à la technologie d'affichage.
(ZH) 本发明公开了一种量子点材料、制备方法及半导体器件,所述量子点材料包含N个在径向方向上依次排布的量子点结构单元,其中N≥1;所述量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构;且相邻的量子点结构单元的能级宽度是连续的。本发明提供了一种具有从内到外沿径向方向的渐变合金组分的新型量子点材料,其不仅实现了更高效的量子点材料发光效率,同时也更能满足半导体器件及相应显示技术对量子点材料的综合性能要求,是一种适合半导体器件及显示技术的理想量子点发光材料。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)