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1. (WO2018120368) K VALUE SENSING METHOD FOR OLED DRIVING THIN FILM TRANSISTOR
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Pub. No.: WO/2018/120368 International Application No.: PCT/CN2017/073622
Publication Date: 05.07.2018 International Filing Date: 15.02.2017
IPC:
G09G 3/00 (2006.01)
G PHYSICS
09
EDUCATING; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
G
ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
3
Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
Applicants:
深圳市华星光电技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区塘明大道9-2号 NO.9-2, Tangming Road, Guangming District of Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventors:
王利民 WANG, Limin; CN
黄泰钧 HWANG, Taijiun; CN
梁鹏飞 LIANG, Pengfei; CN
Agent:
深圳市德力知识产权代理事务所 COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; 中国广东省深圳市 福田区上步中路深勘大厦15E Room 15E, Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Priority Data:
201611247314.729.12.2016CN
Title (EN) K VALUE SENSING METHOD FOR OLED DRIVING THIN FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE VALEUR K POUR TRANSISTOR À COUCHE MINCE D'ATTAQUE À OLED
(ZH) OLED驱动薄膜晶体管的K值侦测方法
Abstract:
(EN) A K value sensing method for an OLED driving thin film transistor (T2), comprising: providing two different data voltages by setting a data signal (Data) so that a driving thin film transistor (T2) forms two different gate-source voltages (Vgs1, Vgs2), and then separately sensing, by means of an external sensing and processing circuit (2), current (Ids1, Ids2) flowing through the driving thin film transistor (T2) under the two different gate-source voltages (Vgs1, Vgs2); and calculating, by a central processing unit (24) a K value of an OLED driving thin film transistor (T2) by means of the two gate-source voltages (Vgs1, Vgs2), two pieces of current data (Ids1, Ids2), and a computing formula based on a current formula of the driving thin film transistor (T2). The method can accurately obtain the K value of the driving thin film transistor (T2) of each pixel in an OLED display device, improve the K value compensation effect of the OLED driving thin film transistor (T2), and improve OLED display quality.
(FR) La présente invention concerne un procédé de détection de valeur K qui est destiné à un transistor à couche mince d'attaque à diode électroluminescente organique (OLED) et qui consiste : à fournir deux tensions de données différentes par réglage d'un signal de données (Données) de telle sorte qu'un transistor à couche mince d'attaque (T2) forme deux tensions de source de grille différentes (Vgs1, Vgs2), puis à détecter séparément, au moyen d'un circuit de traitement et de détection externe (2), un courant (Ids1, Ids2) circulant à travers le transistor à couche mince d'attaque (T2) sous les deux tensions de source de grille différentes (Vgs1, Vgs2) ; à calculer, au moyen d'une unité centrale de traitement (24) une valeur K d'un transistor à couche mince d'attaque à OLED (T2) au moyen des deux tensions de source de grille (Vgs1, Vgs2), de deux éléments de données de courant (Ids1, Ids2) et d'une formule de calcul sur la base d'une formule de courant du transistor à couche mince d'attaque (T2). Le procédé peut obtenir avec précision la valeur K du transistor à couche mince d'attaque (T2) de chaque pixel dans un dispositif d'affichage à OLED, améliorer l'effet de compensation de valeur K du transistor à couche mince d'attaque à OLED (T2), ainsi que la qualité d'affichage à OLED.
(ZH) 一种OLED驱动薄膜晶体管(T2)的K值侦测方法,通过设置数据信号(Data)提供两不同的数据电压,使得驱动薄膜晶体管(T2)形成两不同的栅源极电压(Vgs1、Vgs2),再通过外部的侦测处理电路(2)分别侦测在两不同的栅源极电压(Vgs1、Vgs2)下流过驱动薄膜晶体管(T2)的电流(Ids1、Ids2),中央处理器(24)通过两栅源极电压(Vgs1、Vgs2)、两电流(Ids1、Ids2)数据、以及以驱动薄膜晶体管(T2)电流公式为基础的计算公式计算得出OLED驱动薄膜晶体管(T2)的K值,能够准确获取OLED显示器件中每个像素的驱动薄膜晶体管(T2)的K值,改善OLED驱动薄膜晶体管(T2)的K值补偿效果,提升OLED显示品质。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)