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1. (WO2018119900) METHOD FOR READING DATA, AND FLASH MEMORY DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/119900 International Application No.: PCT/CN2016/113085
Publication Date: 05.07.2018 International Filing Date: 29.12.2016
IPC:
G06F 11/00 (2006.01)
G PHYSICS
06
COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
F
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
11
Error detection; Error correction; Monitoring
Applicants:
华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区坂田华为总部办公楼 Huawei Administration Building Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventors:
常乐 CHANG, Le; CN
石亮 SHI, Liang; CN
李乔 LI, Qiao; CN
王元钢 WANG, Yuangang; CN
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR READING DATA, AND FLASH MEMORY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE LECTURE DE DONNÉES, ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE FLASH
(ZH) 数据读取方法及闪存设备
Abstract:
(EN) A method for reading data, and a flash memory device (1000). When the read data has an error, the flash memory device (1000) preferably increases reference voltages between adjacent states having a high error rate, thereby being able to reduce the number of reference voltages on the basis of ensuring the probability of reading correct data, so that the number of times of comparing the voltage during data reading can be reduced, the time for reading correct data can be shortened, and further the execution time of the reading operation can be shortened.
(FR) L'invention concerne également un procédé de lecture de données, et un dispositif de mémoire flash (1000). Lorsque les données de lecture ont une erreur, le dispositif de mémoire flash (1000) augmente de préférence les tensions de référence entre des états adjacents ayant un taux d'erreur élevé, ce qui permet de réduire le nombre de tensions de référence sur la base de l'assurance de la probabilité de lecture de données correctes, de sorte que le nombre de comparaison de la tension pendant la lecture de données peut être réduit, le temps de lecture des données correctes peut être raccourci, et en outre le temps d'exécution de l'opération de lecture peut être raccourci.
(ZH) 一种数据读取方法及闪存设备(1000),在读取的数据出现错误时,所述闪存设备(1000)优先增加错误率较高的相邻状态之间的参考电压,从而,能够在保证读取正确数据的概率基础上尽量减少参考电压的数量,从而能够减少读数数据过程中的电压比较次数,缩短读取出正确数据的时间,进而缩短了读操作的执行时间。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)