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1. (WO2018108257) PROCESS FOR PREPARING POLYCRYSTALLINE SILICON
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Pub. No.: WO/2018/108257 International Application No.: PCT/EP2016/080897
Publication Date: 21.06.2018 International Filing Date: 14.12.2016
Chapter 2 Demand Filed: 25.08.2017
IPC:
C01B 33/035 (2006.01)
C CHEMISTRY; METALLURGY
01
INORGANIC CHEMISTRY
B
NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF
33
Silicon; Compounds thereof
02
Silicon
021
Preparation
027
by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
035
by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
Applicants: WACKER CHEMIE AG[DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München, DE
Inventors: HERTLEIN, Harald; DE
KRAUS, Heinz; DE
Agent: POTTEN, Holger; DE
BITTERLICH, Bianca; DE
BUDCZINSKI, Angelika; DE
DEFFNER-LEHNER, Maria; DE
EGE, Markus; DE
FRÄNKEL, Robert; DE
FRITZ, Helmut; DE
MIESKES, Klaus; DE
RIMBÖCK, Karl-Heinz; DE
SCHUDERER, Michael; DE
Priority Data:
Title (EN) PROCESS FOR PREPARING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON POLYKRISTALLINEM SILICIUM
Abstract:
(EN) The invention relates to a process for preparing polycrystalline silicon, comprising introducing a reaction gas containing hydrogen and silane and/or halogen silane into a reactor, wherein the reactor comprises at least one heated carrier body, on which elementary silicon has been deposited by means of pyrolysis, forming the polycrystalline silicon. In a continuous process, waste gas is led out of the reactor and hydrogen recovered from said waste gas is fed to the reactor again as circulating gas. The circulating gas has a nitrogen content of less than 1000 ppmv. The invention further relates to polycrystalline silicon having a nitrogen component of less than 2 ppba.
(FR) L'invention concerne un procédé de production de silicium polycristallin, consistant à introduire un gaz de réaction contenant de l'hydrogène et du silane et/ou de l'halosilane dans un réacteur qui comprend au moins un corps de support chauffé sur lequel du silicium élémentaire est déposé par pyrolyse de manière à former le silicium polycristallin. Dans un processus continu, les gaz brûlés sont évacués du réacteur et l'hydrogène récupéré à partir de ces gaz brûlés est recyclé en tant que gaz de recyclage dans le réacteur. Le gaz de recyclage présente une teneur en azote inférieure à 1000 ppmv. En outre, l'invention concerne du silicium polycristallin présentant une teneur en azote inférieure à 2 ppba.
(DE) Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium, umfassend Einleiten eines Wasserstoff und Silan und/oder Halogensilan enthaltenden Reaktionsgases in einen Reaktor, wobei der Reaktor mindestens einen erhitzten Trägerkörper umfasst, auf welchem mittels Pyrolyse elementares Silicium unter Bildung des polykristallinen Siliciums abgeschieden wird. In einem kontinuierlichen Prozess wird dabei Abgas aus dem Reaktor abgeführt und aus diesem Abgas zurückgewonnener Wasserstoff als Kreisgas wieder dem Reaktor zugeführt. Das Kreisgas weist einen Stickstoffgehalt von weniger als 1000 ppmv auf. Ferner umfasst die Erfindung polykristallines Silicium mit einem Stickstoffanteil von weniger als 2 ppba.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)