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1. (WO2018106212) QUATERNARY SPIN HALL MEMORY
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Pub. No.:    WO/2018/106212    International Application No.:    PCT/US2016/065023
Publication Date: 14.06.2018 International Filing Date: 05.12.2016
IPC:
H01L 43/02 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: MANIPATRUNI, Sasikanth; (US).
NIKONOV, Dmitri E.; (US).
YOUNG, Ian A.; (US)
Agent: MUGHAL, Usman A.; (US)
Priority Data:
Title (EN) QUATERNARY SPIN HALL MEMORY
(FR) MÉMOIRE À EFFET HALL À SPIN QUATERNAIRE
Abstract: front page image
(EN)An apparatus is provided which comprises: a first magnetic junction having a fixed magnetic layer and a 4-state free magnetic layer; a second magnetic junction having a fixed magnetic layer and a 4-state free magnetic layer; and a first layer of spin orbit coupling material adjacent to the first magnetic junction and the second magnetic junction via their respective 4-state free magnetic layers. Described is an apparatus which comprises a 4-state free magnetic layer; a layer of SOC material adjacent to the 4-state free magnetic layer; a first interconnect coupled to the layer of SOC material.
(FR)L'invention concerne un appareil qui comprend : une première jonction magnétique ayant une couche magnétique fixe et une couche magnétique libre à 4 états; une seconde jonction magnétique ayant une couche magnétique fixe et une couche magnétique libre à 4 états; et une première couche de matériau de couplage spin-orbite adjacente à la première jonction magnétique et à la seconde jonction magnétique par l'intermédiaire de leurs couches magnétiques libres à 4 états respectives. L'invention concerne un appareil qui comprend une couche magnétique libre à 4 états; une couche de matériau de couplage spin-orbite adjacente à la couche magnétique libre à 4 états; une première interconnexion couplée à la couche de matériau de couplage spin-orbite.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)