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1. (WO2018105372) SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE, DRIVE METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/105372 International Application No.: PCT/JP2017/041757
Publication Date: 14.06.2018 International Filing Date: 21.11.2017
IPC:
H04N 5/3745 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
H ELECTRICITY
04
ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
N
PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5
Details of television systems
30
Transforming light or analogous information into electric information
335
using solid-state image sensors [SSIS]
369
SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374
Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745
having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14
including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144
Devices controlled by radiation
146
Imager structures
Applicants:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventors:
荒川 賢一 ARAKAWA Kenichi; JP
宇井 博貴 UI Hiroki; JP
Agent:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Priority Data:
2016-23601505.12.2016JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE, DRIVE METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ D'ENTRAÎNEMENT, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、駆動方法、および電子機器
Abstract:
(EN) The present technology relates to a solid-state image capturing device, a drive method and an electronic device which make it possible to inhibit leakage of charge from a PD to an FD. In a solid-state image capturing device according to one aspect of the present technology, when a charge is to be read from a selected photoelectric conversion portion from which said charge is to be read, from among a plurality of photoelectric conversion portions sharing a shared holding portion, into said shared holding portion, a drive control unit applies a first pulse to a read-out portion corresponding to the selected photoelectric conversion portion, and applies a second pulse to a site that is capacitively coupled to the shared holding portion, where the second pulse has the opposite polarity to the first pulse and has a pulse period at least part of which overlaps the pulse period of the first pulse. This technology is applicable to backside illumination type CMOS image sensors, for example.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de capture d'image à semi-conducteur, un procédé d'entraînement, et un dispositif électronique, qui permettent d'empêcher une fuite de charge d'un PD vers un FD. Dans un dispositif de capture d'image à semi-conducteur selon un aspect de la présente invention, lorsqu'une charge doit être lue depuis une partie de conversion photoélectrique sélectionnée parmi une pluralité de parties de conversion photoélectrique partageant une partie de maintien partagée, ladite charge devant être lue dans ladite partie de maintien partagée, une unité de commande d'entraînement applique une première impulsion à une partie de lecture correspondant à la partie de conversion photoélectrique sélectionnée, et applique une seconde impulsion à un site qui est couplé de manière capacitive à la partie de maintien partagée, la seconde impulsion ayant une polarité opposée à la première impulsion et ayant une période d'impulsion dont au moins une partie chevauche la période d'impulsion de la première impulsion. La présente invention peut être appliquée à des capteurs d'image CMOS du type à rétroéclairage, par exemple.
(JA) 本技術は、PDからFDへの電荷の漏れ出しを抑止することができるようにする固体撮像装置、駆動方法、および電子機器に関する。 本技術の一側面である固体撮像装置は、駆動制御部が、共有保持部を共有する複数の光電変換部のうち、電荷の読み出し対象とする選択光電変換部から共有保持部に前記電荷を読み出す場合、前記選択光電変換部に対応する前記読み出し部に対して第1のパルスを印可するとともに、前記共有保持部と容量結合する部位に対して、前記第1のパルスとは逆極性であって、且つ、パルス期間が前記第1のパルスのパルス期間の少なくとも一部と重複する第2のパルスを印可する。本技術は、例えば、裏面照射型CMOSイメージセンサに適用できる。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)