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1. (WO2018105327) PRODUCTION METHOD FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/105327    International Application No.:    PCT/JP2017/040816
Publication Date: 14.06.2018 International Filing Date: 13.11.2017
IPC:
H01L 33/48 (2010.01), H01L 23/02 (2006.01), H01S 5/022 (2006.01)
Applicants: NIKKISO CO., LTD. [JP/JP]; 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku Tokyo 1506022 (JP)
Inventors: NIIZEKI Shoichi; (JP).
ICHINOKURA Hiroyasu; (JP)
Agent: MORISHITA Sakaki; (JP)
Priority Data:
2016-237608 07.12.2016 JP
Title (EN) PRODUCTION METHOD FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR OPTIQUE
(JA) 光半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A production method for an optical semiconductor device 10, comprising: a step in which light-transmitting lid 40 is mounted upon a package substrate 30, having a bonding material 56 including gold tin (AuSn) interposed therebetween, in an atmosphere of a first gas including oxygen (O2), said substrate housing an optical semiconductor element 20; a step in which the atmospheric gas is replaced by a second gas so as to reduce the oxygen concentration in the atmosphere, in a state in which a load is placed upon the lid 40 placed upon the package substrate 30, so as to temporarily seal same from above; and a step in which the bonding material 56 is heat-melted, after step in which the second gas is substituted is started, and the package substrate 30 and the lid 40 are bonded together.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semiconducteur optique comprenant : une étape dans laquelle un couvercle transmettant la lumière 40 est monté sur un substrat de boîtier 30, ayant un matériau de liaison 56 comprenant de l'or-étain (AuSn) interposé entre ceux-ci, dans une atmosphère d'un premier gaz comprenant de l’oxygène (O2), ledit substrat logeant un élément semiconducteur optique 20; une étape dans laquelle le gaz atmosphérique est remplacé par un second gaz de façon à réduire la concentration en oxygène dans l'atmosphère, dans un état dans lequel une charge est placée sur le couvercle 40 placé sur le substrat de boîtier 30, de façon à sceller temporairement celui-ci par le dessus; et une étape au cours de laquelle le matériau de liaison 56 est fondu à chaud, après l'étape dans laquelle le second gaz est substitué est démarrée, et le substrat de boîtier 30 et le couvercle 40 sont liés ensemble.
(JA)光半導体装置10の製造方法は、酸素(O)を含む第1ガスの雰囲気中で、光半導体素子20が収容されるパッケージ基板30上に、金錫(AuSn)を含む接合材56を間に挟んで、透光性を有する蓋体40を載置する工程と、パッケージ基板30上に載置される蓋体40の上から荷重をかけて仮封止した状態で、雰囲気中に含まれる酸素濃度が低下するように雰囲気ガスを第2ガスに交換する工程と、第2ガスに交換する工程の開始後に接合材56を加熱溶融させてパッケージ基板30と蓋体40の間を接合する工程と、を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)