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1. (WO2018105113) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, COOLING UNIT, AND HEAT INSULATING STRUCTURE
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Pub. No.:    WO/2018/105113    International Application No.:    PCT/JP2016/086775
Publication Date: 14.06.2018 International Filing Date: 09.12.2016
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01)
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12,Nishi-shimbashi 2-chome,Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventors: KOSUGI, Tetsuya; (JP).
MURATA, Hitoshi; (JP).
YAMAGUCHI, Takatomo; (JP).
SAIDO, Shuhei; (JP)
Priority Data:
Title (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, COOLING UNIT, AND HEAT INSULATING STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, UNITÉ DE REFROIDISSEMENT, ET STRUCTURE D'ISOLATION THERMIQUE
(JA) 基板処理装置、クーリングユニット及び断熱構造体
Abstract: front page image
(EN)A configuration provided with: an intake pipe which is provided for each zone to supply a gas for cooling a reaction pipe; a control valve with which the intake pipe is provided to adjust the flow volume of the gas; a buffer portion in which the gas supplied from the intake pipe is temporarily accumulated; and opening portions which are provided in the zone at regular intervals in a circumferential direction so as to blow out the gas accumulated in the buffer portion toward the reaction pipe. In the configuration, the flow volume of the gas introduced into the intake pipe is set in accordance with a length proportion in the vertical direction of the zone, thereby adjusting the flow volume and flow velocity of the gas, which is ejected out of the opening portions toward the reaction pipe by opening or closing the control valve.
(FR)La présente invention concerne une configuration qui comprend : un tuyau d'admission qui est prévu pour chaque zone pour fournir un gaz afin de refroidir un tuyau de réaction ; une vanne de régulation avec laquelle le tuyau d'admission est prévu pour ajuster le volume d'écoulement du gaz ; une partie tampon dans laquelle le gaz fourni par le tuyau d'admission est temporairement accumulé ; et des parties d'ouverture qui sont disposées dans la zone à des intervalles réguliers dans une direction circonférentielle de façon à souffler le gaz accumulé dans la partie tampon vers le tuyau de réaction. Dans la configuration, le volume d'écoulement du gaz introduit dans le tuyau d'admission est réglé en fonction d'une proportion de longueur dans la direction verticale de la zone, ce qui permet d'ajuster le volume d'écoulement et la vitesse d'écoulement du gaz, qui est éjecté hors des parties d'ouverture vers le tuyau de réaction par ouverture ou fermeture de la vanne de régulation.
(JA)ゾーン毎に設けられ、反応管を冷却するガスを供給する吸気管と、該吸気管に設けられ、ガスの流量を調整する制御バルブと、吸気管から供給されたガスを一時的に溜めるバッファ部と、バッファ部で溜められたガスを反応管に向けて吹出すように、ゾーン内で周方向に同じ間隔で設けられる開口部と、を備えた構成により、ゾーンの上下方向の長さ比率に応じて吸気管に導入されるガスの流量を設定することにより、制御バルブを開閉させて開口部から反応管に向けて噴出されるガスの流量及び流速が調整される構成が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)