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Pub. No.: WO/2018/104741 International Application No.: PCT/GB2017/053686
Publication Date: 14.06.2018 International Filing Date: 07.12.2017
H01L 21/02 (2006.01) ,H01S 5/34 (2006.01)
Applicants: UCL BUSINESS PLC[GB/GB]; The Network Building 97 Tottenham Court Road London, Greater London W1T 4TP, GB
Inventors: TANG, Mingchu; GB
LIAO, Mengya; GB
CHEN, Siming; GB
WU, Jiang; GB
SEEDS, Alwyn; GB
LIU, Huiyun; GB
Agent: MAIN, James; GB
Priority Data:
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor device comprising a nominally or exactly (001) or equivalent orientation silicon substrate on which is grown directly a < 100 nm thick nucleation layer (NL) of a III-V compound semiconductor, other than GaP, followed by a buffer layer of the same compound, formed directly on the NL, optionally followed by further III-V semiconductor layers, followed by at least one layer containing III-V compound semiconductor quantum dots, optionally followed by further III-V semiconductor layers. The NL reduces the formation and propagation of defects from the interface with the silicon, and the resilience of quantum dot structures to dislocations enables lasers and other semiconductor devices of improved performance to be realised by direct epitaxy on nominally or exactly (001) or equivalent orientation silicon.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant un substrat de silicium d'orientation nominale ou exacte (001) ou équivalente sur lequel est directement développée une couche de nucléation (NL) d'épaisseur inférieure à 100 nm d'un composé semi-conducteur III-V autre que le GaP, suivie d'une couche tampon du même composé formée directement sur la NL, éventuellement suivie d'autres couches semi-conductrices III-V, suivies d'au moins une couche contenant des points quantiques semi-conducteurs de composé III-V, éventuellement suivie d'autres couches semi-conductrices III-V. La NL réduit la formation et la propagation de défauts de l'interface avec le silicium, et la résilience des structures de points quantiques vis-à-vis des dislocations permet à des lasers et autres dispositifs à semi-conducteurs à performance améliorée d'être obtenus par épitaxie directe sur du silicium d'orientation nominale ou exacte (001) ou équivalente.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)