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1. (WO2018104111) RADIATION-HARD HIGH-SPEED PHOTODIODE DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/104111    International Application No.:    PCT/EP2017/080674
Publication Date: 14.06.2018 International Filing Date: 28.11.2017
IPC:
H01L 31/115 (2006.01), H01L 31/103 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01)
Applicants: AMS INTERNATIONAL AG [CH/CH]; Rietstrasse 4 8640 Rapperswil (CH)
Inventors: MEINHARDT, Gerald; (AT).
WACHMANN, Ewald; (AT).
SAGMEISTER, Martin; (AT).
HOFRICHTER, Jens; (CH)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Priority Data:
16202201.6 05.12.2016 EP
Title (EN) RADIATION-HARD HIGH-SPEED PHOTODIODE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PHOTODIODE HAUTE VITESSE RÉSISTANT AU RAYONNEMENT
Abstract: front page image
(EN)A CMOS compatible photodiode device comprises a substrate (1) of semiconductor material with a main surface (10) and a plurality of doped wells (3) of a first type of conductivity constituting one pixel of an array of pixels for image detection. The doped wells (3) are spaced apart at the main surface (10). The device further has a guard ring (7) comprising a doped region of a second type of conductivity, which is opposite to the first type of conductivity. The guard ring (7) surrounds an area of the main surface (10) including the plurality of doped wells (3) without dividing this area. Conductor tracks (4) are electrically connected with the doped wells (3), which are thus interconnected, and further conductor tracks (5) are electrically connected with a region of the second type of conductivity. A doped surface region (2) of the second type of conductivity is present at the main surface (10) and covers the entire area between the guard ring (7) and the doped wells (3). The photodiode of the pixel is radiation-hard, has high speed, low capacitance, low leakage current and a low temperature coefficient of the responsivity.
(FR)Un dispositif de photodiode compatible CMOS comprend un substrat (1) de matériau semi-conducteur ayant une surface principale (10) et une pluralité de puits dopés (3) d'un premier type de conductivité constituant un pixel d'un réseau de pixels pour une détection d'image. Les puits dopés (3) sont espacés au niveau de la surface principale (10). Le dispositif comprend en outre un anneau de garde (7) comprenant une région dopée d'un second type de conductivité, qui est opposé au premier type de conductivité. L'anneau de garde (7) entoure une zone de la surface principale (10) comprenant la pluralité de puits dopés (3) sans diviser cette zone. Des pistes conductrices (4) sont électriquement connectées aux puits dopés (3), qui sont ainsi interconnectés, et d'autres pistes conductrices (5) sont électriquement connectées à une région du second type de conductivité. Une région de surface dopée (2) du second type de conductivité est présente au niveau de la surface principale (10) et recouvre toute la surface entre l'anneau de garde (7) et les puits dopés (3). La photodiode du pixel est résistante au rayonnement, présente une vitesse élevée, une faible capacité, un faible courant de fuite et un faible coefficient de température de la sensibilité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)