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1. (WO2018103358) PHOTODIODE DEVICE AND PHOTODIODE DETECTOR
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Pub. No.:    WO/2018/103358    International Application No.:    PCT/CN2017/096404
Publication Date: 14.06.2018 International Filing Date: 08.08.2017
IPC:
H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/109 (2006.01)
Applicants: NUCTECH COMPANY LIMITED [CN/CN]; 2nd Floor, Block A, TongFang Building Shuangqinglu, Haidian District Beijing 100084 (CN)
Inventors: ZHANG, Lan; (CN).
HU, Haifan; (CN).
CAO, Xuepeng; (CN).
LI, Jun; (CN)
Agent: CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; Suite 4-1105, No. 87, West 3rd Ring North Rd. Haidian District Beijing 100089 (CN)
Priority Data:
201611143007.4 07.12.2016 CN
Title (EN) PHOTODIODE DEVICE AND PHOTODIODE DETECTOR
(FR) DISPOSITIF DE PHOTODIODE ET DÉTECTEUR À PHOTODIODE
(ZH) 光电二极管器件及光电二极管探测器
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are a photodiode device and a photodiode detector. According to embodiments, the photodiode device may comprise: a first type lightly doped semiconductor substrate (101), comprising a first surface (101-1S) and a second surface (101-2S) opposite to each other; a first type heavily doped first electrode region (103) provided on the first surface (101-1S) of the semiconductor substrate (101); and a second type heavily doped second electrode region (105) provided on the second surface (101-2S) of the semiconductor substrate (101), the first surface (101-1S) being a light incident surface.
(FR)L'invention concerne un dispositif de photodiode et un détecteur à photodiode. Selon des modes de réalisation, le dispositif de photodiode peut comprendre : un substrat semiconducteur légèrement dopé de premier type (101), comprenant une première surface (101-1S) et une seconde surface (101-2S) opposées l'une à l'autre; une première région d'électrode fortement dopée de premier type (103) disposée sur la première surface (101-1S) du substrat semiconducteur (101); et une seconde région d'électrode (105) fortement dopée de second type disposée sur la seconde surface (101-2S) du substrat semiconducteur (101), la première surface (101-1S) étant une surface d'incidence de lumière.
(ZH)公开了光电二极管器件及光电二极管探测器。根据实施例,一种光电二极管器件可以包括:第一类型轻掺杂的半导体基板(101),包括彼此相对的第一表面(101-1S)和第二表面(101-2S);设于半导体基板(101)的第一表面(101-1S)上的第一类型重掺杂的第一电极区域(103);以及设于半导体基板(101)的第二表面(101-2S)上的第二类型重掺杂的第二电极区域(105),其中,第一表面(101-1S)为光入射面。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)