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1. (WO2018103163) LOW-MELTING-POINT INORGANIC BINDER SLURRY FOR ALUMINUM SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
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Pub. No.:    WO/2018/103163    International Application No.:    PCT/CN2016/113336
Publication Date: 14.06.2018 International Filing Date: 30.12.2016
IPC:
H01L 23/29 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01), H01B 1/16 (2006.01), H01B 1/22 (2006.01), C03C 8/24 (2006.01)
Applicants: DONGGUAN COREHELM ELECTRONIC MATERIALS CO., LTD [CN/CN]; 6th Floor, No.9, Ninth keji Road, Songshanhu high-tech development zone Dongguan City, Guangdong 523000 (CN)
Inventors: LIU, Jian; (CN).
SU, Guanxian; (CN)
Agent: SHENZHEN TALENT PATENT SERVICE; B,20/F,Building B Lvjing Square, 6009 Shennan Middle Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518000 (CN)
Priority Data:
201611174821.2 09.12.2016 CN
Title (EN) LOW-MELTING-POINT INORGANIC BINDER SLURRY FOR ALUMINUM SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) SUSPENSION DE LIANT INORGANIQUE À BAS POINT DE FUSION POUR SUBSTRAT D'ALUMINIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种铝基材用低熔点无机粘结剂浆料及其制备方法
Abstract: front page image
(EN)Low-melting-point inorganic binder slurry for an aluminum substrate and a preparation method therefor. The low-melting-point inorganic binder slurry comprises the following materials in parts by weight: 60-85% of SiO2-Bi2O3-B2O3-Al2O3 low-melting-point inorganic binder, 1-15% of nano aluminum oxide inorganic additive, and 20-40% of organic phase. The low-melting-point inorganic binder slurry for an aluminum substrate can meet packaging and insulation requirements for an aluminum substrate, as well as high requirements for printing precision, film quality, and printing efficiency, can achieve sealing at a low temperature, and has good dielectric insulation performance and good construction performance. The preparation method comprises the following process steps: a) preparing an organic phase; and b) preparing low-melting-point inorganic binder slurry. The preparation method can be effectively produce and prepare the low-melting-point inorganic binder slurry for an aluminum substrate.
(FR)La présente invention concerne une suspension de liant inorganique à bas point de fusion pour un substrat d'aluminium et son procédé de préparation. La suspension de liant inorganique à bas point de fusion comprend les matériaux suivants en parties en poids: 60 à 85 % de liant inorganique à bas point de fusion SiO2-Bi2O3-B2O3-Al2O3, 1 à 15 % d'un additif inorganique d'oxyde d'aluminium nanométrique, et 20 à 40% de phase organique. La suspension de liant inorganique à bas point de fusion pour un substrat d'aluminium peut satisfaire aux exigences d'emballage et d'isolation pour un substrat d'aluminium, ainsi que des exigences élevées pour une précision d'impression, de qualité de film et d'efficacité d'impression, permet d'obtenir une étanchéité à basse température, et présente de bonnes performances d'isolation diélectrique et de bonnes performances de construction. Le procédé de préparation comprend les étapes de procédé suivantes : a) préparation d'une phase organique; et b) préparation d'une suspension de liant inorganique à bas point de fusion. Le procédé de préparation peut être efficacement produit et prépare la suspension de liant inorganique à bas point de fusion pour un substrat en aluminium.
(ZH)一种铝基材用低熔点无机粘结剂浆料及其制备方法,该低熔点无机粘结剂浆料包括以下重量份的物料:SiO 2-Bi 2O 3-B 2O 3-Al 2O 3低熔点无机粘结剂60-85%、纳米氧化铝无机添加剂1-15%、有机相20-40%;该铝基材用低熔点无机粘结剂浆料能够满足铝基材封装和绝缘要求,且满足高的印刷精度、膜层质量和印刷的效率的要求,并能够实现低温封接,具有良好的介电绝缘性能且施工性能良好。该制备方法包括以下工艺步骤:a、制备有机相;b、制备低熔点无机粘结剂浆料;该制备方法能够有效地生产制备上述铝基材用低熔点无机粘结剂浆料。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)