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1. (WO2018102398) A SCANNING WHITE-LIGHT INTERFEROMETRY SYSTEM FOR CHARACTERIZATION OF PATTERNED SEMICONDUCTOR FEATURES
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Pub. No.: WO/2018/102398 International Application No.: PCT/US2017/063682
Publication Date: 07.06.2018 International Filing Date: 29.11.2017
IPC:
G01B 9/02 (2006.01) ,G01B 9/04 (2006.01) ,G02B 21/00 (2006.01) ,G01N 21/21 (2006.01) ,G01N 21/45 (2006.01) ,G01N 21/956 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: NANOMETRICS INCORPORATED[US/US]; 1550 Buckeye Drive Milpitas, California 95035, US
Inventors: SMITH, Nigel P.; US
ANTONELLI, George Andrew; US
Agent: HALBERT, Michael J.; US
Priority Data:
15/388,79422.12.2016US
62/429,02201.12.2016US
Title (EN) A SCANNING WHITE-LIGHT INTERFEROMETRY SYSTEM FOR CHARACTERIZATION OF PATTERNED SEMICONDUCTOR FEATURES
(FR) SYSTÈME D'INTERFÉROMÉTRIE À LUMIÈRE BLANCHE À BALAYAGE POUR LA CARACTÉRISATION D'ÉLÉMENTS SEMI-CONDUCTEURS À MOTIFS
Abstract: front page image
(EN) A white light interferometric metrology device operates in the image plane and objective pupil plane. The interferometric metrology device extracts the electric field with complex parameters and that is a function of azimuth angle, angle of incidence and wavelength from interferometric data obtained from the pupil plane. Characteristics of the sample are determined using the electric field based on an electric field model of the azimuth angle, the angle of incidence and the wavelength that is specific for a zero diffraction order. A center of the pupil in the pupil plane may be determined based on a Fourier transform of the interferometric data at each new measurement and used to convert each pixel from the camera imaging the objective pupil plane into a unique set of angle of incidence and azimuth angle of light incident on the sample.
(FR) Un dispositif de métrologie interférométrique à lumière blanche selon l'invention fonctionne dans le plan d'image et le plan de pupille d'objectif. Le dispositif de métrologie interférométrique extrait le champ électrique qui présente des paramètres complexes en fonction d'un angle d'azimut, d'un angle d'incidence et d'une longueur d'onde à partir de données interférométriques obtenues à partir du plan de pupille. Les caractéristiques de l'échantillon sont déterminées à l'aide du champ électrique sur la base d'un modèle de champ électrique de l'angle d'azimut, de l'angle d'incidence et de la longueur d'onde qui est spécifique pour un ordre de diffraction zéro. Un centre de la pupille dans le plan de pupille peut être déterminé sur la base d'une transformée de Fourier des données interférométriques à chaque nouvelle mesure et utilisé pour convertir chaque pixel de la caméra imageant le plan de pupille d'objectif en un ensemble unique comprenant un angle d'incidence et un angle d'azimut de la lumière incidente sur l'échantillon.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)