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1. (WO2018101956) SELF-ALIGNED ELECTRODE NANO-CONTACTS FOR NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) BIT CELLS
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Pub. No.:    WO/2018/101956    International Application No.:    PCT/US2016/064644
Publication Date: 07.06.2018 International Filing Date: 02.12.2016
IPC:
H01L 45/00 (2006.01), H01L 43/02 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: ATANASOV, Sarah E.; (US).
SURI, Satyarth; (US).
DOYLE, Brian S.; (US).
O'BRIEN, Kevin P.; (US).
OGUZ, Kaan; (US).
DOCZY, Mark L.; (US).
KUO, Charles C.; (US)
Agent: BRASK, Justin, K.; (US)
Priority Data:
Title (EN) SELF-ALIGNED ELECTRODE NANO-CONTACTS FOR NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) BIT CELLS
(FR) NANO-CONTACTS D'ÉLECTRODE AUTO-ALIGNÉS POUR CELLULES BINAIRES DE MÉMOIRE VIVE (RAM) NON VOLATILE
Abstract: front page image
(EN)Self-aligned electrode nano-contacts for non-volatile random access memory (RAM) bit cells, and methods of fabricating electrode nano-contacts for non-volatile random access memory (RAM) bit cells, are described. In an example, semiconductor structure includes a conductive electrode disposed above a substrate. A non-volatile random access memory (RAM) element is disposed above the conductive electrode. The non-volatile RAM element has an uppermost surface with a surface area. A conductive contact is disposed on and is electrically connected to the uppermost surface of the non-volatile RAM element. The conductive contact has a surface area less than the surface area of the uppermost surface of the non-volatile RAM element at an interface of the conductive contact and the uppermost surface of the non-volatile RAM element.
(FR)L'invention concerne des nano-contacts d'électrode auto-alignés pour cellules binaires de mémoire vive (RAM) non volatile et leurs procédés de fabrication. Dans un exemple, une structure en semiconducteur comprend une électrode conductrice disposée au-dessus d'un substrat. Un élément de mémoire vive (RAM) non volatile est disposé au-dessus de l'électrode conductrice. L'élément de RAM non volatile possède une surface supérieure ayant une superficie. Un contact conducteur est disposé sur la surface supérieure de l'élément de RAM non volatile et il est relié électriquement à celle-ci. Le contact conducteur présente une superficie inférieure à la superficie de la surface supérieure de l'élément de RAM non volatile au niveau d'une interface entre le contact conducteur et la surface supérieure de l'élément de RAM non volatile.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)