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Pub. No.: WO/2018/101280 International Application No.: PCT/JP2017/042694
Publication Date: 07.06.2018 International Filing Date: 28.11.2017
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/30 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED[JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
Inventors: YAMAMOTO Taiki; JP
OSADA Takenori; JP
Agent: RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522, JP
Priority Data:
(JA) 半導体基板
Abstract: front page image
(EN) Provided is a semiconductor substrate comprises a buffer layer having a laminated structure obtained by repeatedly laminating a first crystal layer made from AlxGa1-xN and a second crystal layer made from AlyGa1-yN, and which, when the cross section of a buffer layer is subjected to TEM observation in an observation area including a single first crystal layer, the HAADF-STEM intensity I(D) which has depth D as a variable exhibits a minimum value Imin at a depth Dmin, and exhibits a maximum value Imax at a depth Dmax (Dmax>Dmin), and the distance in the depth direction DD1 from where I(D) is the median value Imid of Imax and Imin reaches Imin in the monotonically reducing region positioned more shallowly than Dmin, and the distance in the depth direction DD2 of I(D) from Imin to Imax in the monotonically increasing area positioned deeper than Dmin satisfy the condition DD1≤0.3×DD2.
(FR) La présente invention concerne un substrat semi-conducteur qui comprend une couche tampon ayant une structure stratifiée obtenue par stratification répétée d'une première couche de cristal composée d'AlxGa1-xN et d'une seconde couche de cristal composée d'AlyGa1-yN, et qui, lorsque la section transversale d'une couche tampon est soumise à une observation TEM dans une zone d'observation comprenant une seule première couche de cristal, l'intensité I(D) de STEM-HAADF qui a une profondeur D en tant que variable, présente une valeur minimale Imin, à une profondeur Dmin, et présente une valeur maximale Imax à une profondeur Dmax (Dmax > Dmin), et la distance dans la direction de profondeur DD1 à partir de l'endroit où I(D) représente la valeur médiane Imid d'Imax et où Imin atteint Imin dans la région diminuant de manière monotone positionnée plus superficiellement que Dmin, et la distance dans la direction de profondeur DD2 d'I(D) de l'Imin à Imax dans la zone augmentant de manière monotone positionnée plus profondément que Dmin satisfont la condition DD1 ≤ 0,3 × DD2.
(JA) AlGa1-xNからなる第1結晶層およびAlGa1-yNからなる第2結晶層が繰り返し積層された積層構造を有するバッファ層を有し、バッファ層の断面を単一の第1結晶層を含む観察領域においてTEM観察したとき、深さDを変数とするHAADF-STEM強度I(D)が、深さDminで極小値Iminを示し、深さDmax(Dmax>Dmin)で極大値Imaxを示し、Dminより浅く位置する単調減少領域においてI(D)がImaxおよびIminの中間値ImidからIminに至るまでの深さ方向距離DD1と、Dminより深く位置する単調増加領域においてI(D)がIminからImaxに至るまでの深さ方向距離DD2とが、DD1≦0.3× DD2、の条件を満たす半導体基板を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)