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1. (WO2018101078) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/101078 International Application No.: PCT/JP2017/041419
Publication Date: 07.06.2018 International Filing Date: 17.11.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 27/30 (2006.01) ,H01L 51/42 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventors: JOEI Masahiro; JP
MURATA Kenichi; JP
Agent: NISHIKAWA Takashi; JP
INAMOTO Yoshio; JP
Priority Data:
2016-23513302.12.2016JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
Abstract: front page image
(EN) The present invention pertains to a solid-state imaging element that enables suppression of fluctuation in photoelectric conversion characteristics of an organic photoelectric conversion film caused by exposure to air, a method for manufacturing the solid-state imaging element, and an electronic device. This solid-state imaging element is provided with: a photoelectric conversion film that is formed on the upper side of a semiconductor substrate; and side walls that seal the side surfaces of the photoelectric conversion film. The side walls are formed of a film obtained through re-deposition of a film directly below. The present invention can be applied to, for example, a CMOS image sensor, etc.
(FR) La présente invention concerne un élément d'imagerie à semiconducteur qui permet la suppression de fluctuations de caractéristiques de conversion photoélectrique d'un film de conversion photoélectrique organique provoquées par une exposition à l'air, un procédé de fabrication de l'élément d'imagerie à semiconducteur, et un dispositif électronique. Cet élément d'imagerie à semiconducteur comprend : un film de conversion photoélectrique qui est formé sur le côté supérieur d'un substrat semiconducteur; et des parois latérales qui scellent les surfaces latérales du film de conversion photoélectrique. Les parois latérales sont formées d'un film obtenu par redéposition d'un film directement sous-jacent. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un capteur d'image CMOS, etc.
(JA) 本開示は、大気暴露による有機光電変換膜の光電変換特性の変動を抑制することができるようにする固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像素子は、半導体基板の上側に形成された光電変換膜と、光電変換膜の側面を封止する側壁とを備える。側壁は、その直下の膜の再堆積膜で構成されている。本開示は、例えば、CMOSイメージセンサ等に適用できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)