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1. (WO2018101065) PLASMA TREATMENT DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/101065    International Application No.:    PCT/JP2017/041305
Publication Date: 07.06.2018 International Filing Date: 16.11.2017
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP).
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP)
Inventors: HIRAYAMA Masaki; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; (JP).
KUROKI Yoshiki; (JP).
KASHIOKA Junji; (JP)
Priority Data:
2016-232471 30.11.2016 JP
Title (EN) PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
Abstract: front page image
(EN)A plasma treatment device according to an embodiment comprises: a chamber main body in which a chamber is provided; a gas supply unit that supplies a treatment gas to inside the chamber; a stage that is disposed inside the chamber; an upper electrode that has a round surface facing the stage across the space inside the chamber; a conductor that is connected to the upper electrode; a high-frequency power supply that generates a first frequency, which is a frequency between 100-1000 MHz inclusive, said high-frequency power supply being connected to the upper electrode via the conductor; a bias power supply that applies a DC bias or a second high frequency, which is a frequency lower than the first high frequency, to the upper electrode; an annular insulating ring that extends along the outer edge of the surface of the upper electrode; a waveguide that propagates an electromagnetic wave generated around the conductor on the basis of the first high frequency, said waveguide being connected to the insulating ring at the outer side of the upper electrode; and a control unit that controls the second high frequency or the DC bias applied to the upper electrode.
(FR)Un dispositif de traitement au plasma selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un corps principal de chambre dans lequel une chambre est disposée; une unité d'alimentation en gaz qui fournit un gaz de traitement à l'intérieur de la chambre; un étage qui est disposé à l'intérieur de la chambre; une électrode supérieure qui a une surface ronde faisant face à l'étage à travers l'espace à l'intérieur de la chambre; un conducteur qui est connecté à l'électrode supérieure; une alimentation électrique haute fréquence qui génère une première fréquence, qui est une fréquence comprise entre 100 et 1000 MHz inclus, ladite alimentation électrique haute fréquence étant connectée à l'électrode supérieure par l'intermédiaire du conducteur; une alimentation électrique de polarisation qui applique une polarisation CC ou une seconde haute fréquence, qui est une fréquence inférieure à la première haute fréquence, à l'électrode supérieure; une bague isolante annulaire qui s'étend le long du bord externe de la surface de l'électrode supérieure; un guide d'ondes qui propage une onde électromagnétique générée autour du conducteur sur la base de la première haute fréquence, ledit guide d'ondes étant connecté à la bague isolante au niveau du côté extérieur de l'électrode supérieure; et une unité de commande qui commande la seconde haute fréquence ou la polarisation CC appliquée à l'électrode supérieure.
(JA)一態様に係るプラズマ処理装置は、チャンバを提供するチャンバ本体と、チャンバ内に処理ガスを供給するガス供給部と、チャンバ内に配置されたステージと、チャンバ内の空間を介してステージに対面する円形の表面を有する上部電極と、上部電極に接続する導体と、100MHz以上1000MHz以下の周波数の第1の高周波を発生させる高周波電源であり、導体を介して上部電極に接続された該高周波電源と、第1の高周波よりも低い周波数の第2の高周波、又は、直流バイアスを上部電極に印加するバイアス電源と、上部電極の表面の外縁に沿って延在する環状の絶縁リングと、第1の高周波に基づいて導体の周囲で生じる電磁波を伝播する導波路であり、上部電極の外側において絶縁リングに接続する該導波路と、上部電極に印加される第2の高周波又は直流バイアスを制御する制御部と、を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)