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1. (WO2018100595) RESIST REMOVAL SOLUTION
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Pub. No.: WO/2018/100595 International Application No.: PCT/JP2016/005013
Publication Date: 07.06.2018 International Filing Date: 29.11.2016
IPC:
G03F 7/42 (2006.01)
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
7
Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26
Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
42
Stripping or agents therefor
Applicants:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventors:
淵上 真一郎 FUCHIGAMI, Shinichirou; --
鬼頭 佑典 KITO, Yusuke; --
鈴木 靖紀 SUZUKI, Yasunori; --
Agent:
廣幸 正樹 HIROKOH, Masaki; JP
Priority Data:
Title (EN) RESIST REMOVAL SOLUTION
(FR) SOLUTION D'ÉLIMINATION DE RÉSERVE
(JA) レジスト剥離液
Abstract:
(EN) In processes for manufacturing semiconductor devices, etc., curing is performed at a temperature higher than that in the past to avoid defective curing of resists. A removal solution having a removing power greater than that in the past is therefore required. A resist removal solution containing a primary and/or a secondary amine as an amine, 2-pyrrolidone (2P) and/or 1-methyl-2-pyrrolidone (NMP) as a polar solvent, propylene glycol (PG), and water, and containing hydrazine as an additive, the amine being contained at an amount greater than 3 mass% and up to 40 mass%, the propylene glycol being contained at an amount greater than 10 mass% and less than 40 mass%, and the water being contained at an amount greater than 5.0 mass% and less than 30.0 mass%. The resist removal solution is capable of removing a resist film subjected to high-temperature baking, and does not corrode a metal film surface or cross-section.
(FR) Selon l'invention, dans des procédés permettant de fabriquer des dispositifs à semi-conducteur, etc., un durcissement est effectué à une température supérieure à celle du passé afin d'éviter un durcissement défectueux de réserves. Une solution d'élimination ayant une puissance d'élimination supérieure à celle du passé est par conséquent exigée. Une solution d'élimination de réserve contient une amine primaire et/ou secondaire faisant office d'amine, du 2-pyrrolidone (2P) et/ou du 1-méthyl-2-pyrrolidone (NMP) servant de solvant polaire, du propylèneglycol (PG), et de l'eau, et elle contient de l'hydrazine faisant office d'additif. L'amine contenue représente une quantité supérieure à 3 % en masse et jusqu'à 40 % en masse, le propylèneglycol contenu représente une quantité supérieure à 10 % en masse et inférieure à 40 % en masse, et l'eau contenue représente une quantité supérieure à 5,0 % en masse et inférieure à 30,0 % en masse. La solution d'élimination de réserve peut éliminer un film de réserve soumis à une cuisson à haute température, et elle ne corrode ni une surface ni une section transversale de film métallique.
(JA) 半導体装置等の製造プロセスでは、従来より高温度で硬化を行いレジストの硬化不良を回避している。したがって、従来より剥離力の強い剥離液が必要となる。 アミン類として一級若しくは二級アミンの少なくとも一方と、極性溶媒として、2-ピロリドン(2P)と1-メチル-2-ピロリドン(NMP)の少なくとも一方と、プロピレングリコール(PG)と、水を含み、添加剤としてヒドラジンを含み、前記アミン類は3質量%より多く、40質量%以下であり、前記プロピレングリコールは10質量%より多く、40質量%未満であり、前記水は、5.0質量%より多く、30.0質量%未満であるレジスト剥離液は、高温ベークされたレジスト膜を剥離することができ、金属膜表面や断面への腐食も起こさない。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)