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1. (WO2018100316) OPTOELECTRONIC DEVICE WITH LIGHT-EMITTING DIODE WITH EXTRACTION ENHANCEMENT
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Pub. No.:    WO/2018/100316    International Application No.:    PCT/FR2017/053327
Publication Date: 07.06.2018 International Filing Date: 30.11.2017
IPC:
H01L 33/20 (2010.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; Bâtiment Le Ponant D 25 Rue Leblanc 75015 PARIS (FR)
Inventors: TEMPLIER, François; (FR).
BOUTAMI, Salim; (FR)
Agent: CABINET BEAUMONT; 4, Place Robert Schuman B.P. 1529 38025 Grenoble Cedex 1 (FR)
Priority Data:
1661879 02.12.2016 FR
Title (EN) OPTOELECTRONIC DEVICE WITH LIGHT-EMITTING DIODE WITH EXTRACTION ENHANCEMENT
(FR) DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODE ELECTROLUMINESCENTE A EXTRACTION AUGMENTEE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to an optoelectronic device (30) comprising an active region (18) designed to supply electromagnetic radiation and sandwiched between first and second semiconductor layers (14, 16), the first semiconductor layer defining a face (20), the optoelectronic device also comprising a diffraction grating (32) designed to extract the electromagnetic radiation from the first semiconductor layer, the diffraction grating comprising holes (36) extending into the first semiconductor layer from said face, the width of the holes, measured in a plane parallel to said face, increasing from a central part of the diffraction grating up to a peripheral part of the diffraction grating.
(FR)L'invention concerne un dispositif optoélectronique (30) comprenant une zone active (18) adaptée à fournir un rayonnement électromagnétique et prise en sandwich entre des première et deuxième couches semiconductrices (14, 16), la première couche semiconductrice délimitant une face (20), le dispositif optoélectronique comprenant, en outre, un réseau de diffraction (32) adapté à extraire le rayonnement électromagnétique de la première couche semiconductrice, le réseau de diffraction comprenant des trous (36) s'étendant dans la première couche semiconductrice depuis ladite face, la largeur des trous mesurée dans un plan parallèle à ladite face augmentant depuis une partie centrale du réseau de diffraction jusqu'à une partie périphérique du réseau de diffraction.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)