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1. (WO2018089534) METHOD FOR HIGH MODULUS ALD SIO2 SPACER
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Pub. No.:    WO/2018/089534    International Application No.:    PCT/US2017/060692
Publication Date: 17.05.2018 International Filing Date: 08.11.2017
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538 (US)
Inventors: BALDASSERONI, Chloe; (US).
SWAMINATHAN, Shankar; (US)
Agent: TSAI, Patricia; (US).
WEAVER, Jeffrey K.; (US).
AUSTIN, James E.; (US).
VILLENEUVE, Joseph M.; (US).
SAMPSON, Roger S.; (US).
BERGIN, Denise S.; (US).
GRIFFITH, John F.; (US).
SCHOLZ, Christian D.; (US)
Priority Data:
15/351,221 14.11.2016 US
Title (EN) METHOD FOR HIGH MODULUS ALD SIO2 SPACER
(FR) PROCÉDÉ POUR ESPACEUR DE SIO2 ALD À MODULE ÉLEVÉ
Abstract: front page image
(EN)Methods and apparatuses for forming high modulus silicon oxide spacers using atomic layer deposition are provided. Methods involve depositing at high temperature, using high plasma energy, and post-treating deposited silicon oxide using ultraviolet radiation. Such silicon oxide spacers are suitable for use as masks in multiple patterning applications to prevent pitch walking.
(FR)L'invention concerne des procédés et des appareils pour former des espaceurs d'oxyde de silicium à module élevé par dépôt de couche atomique. Les procédés consistent à assurer un dépôt à haute température, à l'aide d'une énergie de plasma élevée, et à post-traiter l'oxyde de silicium déposé à l'aide d'un rayonnement ultraviolet. Lesdits espaceurs d'oxyde de silicium sont conçus pour être utilisés en tant que masques dans de multiples applications de formation de motifs pour empêcher le phénomène de dérive de pas.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)