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1. (WO2018089175) SELECTIVE ETCH RATE MONITOR
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Pub. No.:    WO/2018/089175    International Application No.:    PCT/US2017/056786
Publication Date: 17.05.2018 International Filing Date: 16.10.2017
IPC:
H01L 21/67 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: KRAUS, Philip Allan; (US).
FRANKLIN, Timothy J.; (US)
Agent: BERNADICOU, Michael A.; (US).
BRASK, Justin K.; (US)
Priority Data:
15/351,437 14.11.2016 US
Title (EN) SELECTIVE ETCH RATE MONITOR
(FR) MONITEUR DE VITESSE DE GRAVURE SÉLECTIVE
Abstract: front page image
(EN)Embodiments include a real time etch rate sensor and methods of for using a real time etch rate sensor. In an embodiment, the real time etch rate sensor includes a resonant system and a conductive housing. The resonant system may include a resonating body, a first electrode formed over a first surface of the resonating body, a second electrode formed over a second surface of the resonating body, and a sacrificial layer formed over the first electrode. In an embodiment, at least a portion of the first electrode is not covered by the sacrificial layer. In an embodiment, the conductive housing may secure the resonant system. Additionally, the conductive housing contacts the first electrode, and at least a portion of an interior edge of the conductive housing may be spaced away from the sacrificial layer.
(FR)Selon des modes de réalisation, l'invention concerne un capteur de vitesse de gravure en temps réel et des procédés d'utilisation d'un capteur de vitesse de gravure en temps réel. Dans un mode de réalisation, le capteur de vitesse de gravure en temps réel comprend un système résonant et un boîtier conducteur. Le système résonant peut comprendre un corps résonant, une première électrode formée sur une première surface du corps résonant, une seconde électrode formée sur une seconde surface du corps résonant, et une couche sacrificielle formée sur la première électrode. Dans un mode de réalisation, au moins une partie de la première électrode n'est pas recouverte par la couche sacrificielle. Dans un mode de réalisation, le boîtier conducteur peut fixer le système résonant. De plus, le boîtier conducteur entre en contact avec la première électrode, et au moins une partie d'un bord intérieur du boîtier conducteur peut être espacée de la couche sacrificielle.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)