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1. (WO2018089061) JOSEPHSON JUNCTION SUPERCONDUCTOR DEVICE INTERCONNECT
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Pub. No.: WO/2018/089061 International Application No.: PCT/US2017/045355
Publication Date: 17.05.2018 International Filing Date: 03.08.2017
IPC:
H01L 39/24 (2006.01) ,H01L 39/22 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
39
Devices using superconductivity or hyperconductivity; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
24
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of devices provided for in group H01L39/135
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
39
Devices using superconductivity or hyperconductivity; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
22
Devices comprising a junction of dissimilar materials, e.g. Josephson-effect devices
Applicants:
NORTHROP GRUMMAN SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 2980 Fairview Park Drive Falls Church, VA 22042-4511, US
Inventors:
KIRBY, Christopher, F.; US
RENNIE, Michael; US
GRANINGER, Aurelius, L.; US
Agent:
HARRIS, Christopher, P.; US
Priority Data:
15/244,82723.08.2016US
Title (EN) JOSEPHSON JUNCTION SUPERCONDUCTOR DEVICE INTERCONNECT
(FR) INTERCONNEXION DE DISPOSITIFS SUPRACONDUCTEURS
Abstract:
(EN) The disclosed method of forming a Josephson junction (JJ) based superconductor device interconnect structure includes forming a base electrode (18) in a coplanar first dielectric layer (16), preferably by a damascene process, depositing a second dielectric layer (20) thereon, forming a first contact (22) through the second dielectric layer to a first end of the base electrode, forming a JJ (30) overlying and in contact with the first contact, and forming a second contact (24) through the second dielectric layer to a second end of the base electrode.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'une structure d'interconnexion de dispositifs supraconducteurs. Le procédé comprend la formation d'une première couche diélectrique à haute température recouvrant un substrat, la formation d'une électrode de base dans la première couche diélectrique à haute température, l'électrode de base ayant une surface supérieure alignée avec la surface supérieure de la première couche diélectrique à haute température, et le dépôt d'une seconde couche diélectrique à haute température sur la première couche diélectrique à haute température et l'électrode de base. Le procédé comprend en outre la formation d'un premier contact à travers la seconde couche diélectrique à une première extrémité de l'électrode de base, formant une jonction Josephson (JJ) recouvrant et en contact avec le premier contact, et formant un second contact à travers la seconde couche diélectrique à une seconde extrémité de l'électrode de base.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)