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1. (WO2018088480) OPTICAL SENSOR
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Pub. No.:    WO/2018/088480    International Application No.:    PCT/JP2017/040444
Publication Date: 17.05.2018 International Filing Date: 09.11.2017
IPC:
H01L 31/107 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventors: ISHIDA Atsushi; (JP).
BABA Takashi; (JP).
NAGANO Terumasa; (JP).
HOSOKAWA Noburo; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; (JP).
KUROKI Yoshiki; (JP).
SHIBAYAMA Kenichi; (JP)
Priority Data:
2016-220777 11.11.2016 JP
Title (EN) OPTICAL SENSOR
(FR) CAPTEUR OPTIQUE
(JA) 光検出装置
Abstract: front page image
(EN)This optical sensor is provided with: a semiconductor substrate that has a first main surface and a second main surface, which are on the reverse side of each other; and a plurality of through electrodes that penetrate the semiconductor substrate in the thickness direction. The semiconductor substrate comprises a plurality of avalanche photodiodes which operate in Geiger mode. The plurality of through electrodes are electrically connected to corresponding avalanche photodiodes. The semiconductor substrate has: a first region in which the plurality of avalanche photodiodes are arranged at least in a first direction; and a second region in which the plurality of through electrodes are two-dimensionally arranged. The first region and the second region are arranged side by side in a second direction that is perpendicular to the first direction when viewed from a direction that is perpendicular to the first main surface.
(FR)La présente invention concerne un capteur optique pourvu : d'un substrat semi-conducteur comportant une première surface principale et une seconde surface principale, qui sont disposées inversées l'une par rapport à l'autre ; et de plusieurs électrodes traversantes qui pénètrent le substrat semi-conducteur dans la direction de l'épaisseur. Le substrat semi-conducteur comprend plusieurs photodiodes à avalanche qui fonctionnent en mode Geiger. Les plusieurs électrodes traversantes sont électriquement connectées à des photodiodes à avalanche correspondantes. Le substrat semi-conducteur comporte : une première région dans laquelle les plusieurs photodiodes à avalanche sont disposées au moins dans une première direction ; et une seconde région dans laquelle les plusieurs électrodes traversantes sont disposées de façon bidimensionnelle. La première région et la seconde région sont disposées côte à côte dans une seconde direction perpendiculaire à la première direction lorsqu'on les observe dans une direction perpendiculaire à la première surface principale.
(JA)光検出装置は、互いに対向する第一主面及び第二主面を有している半導体基板と、半導体基板を厚み方向に貫通している複数の貫通電極と、を備えている。半導体基板は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードを有している。複数の貫通電極は、対応するアバランシェフォトダイオードと電気的に接続されている。半導体基板は、複数のアバランシェフォトダイオードが少なくとも第一方向に配列されている第一領域と、複数の貫通電極が二次元配列されている第二領域と、を有している。第一領域と第二領域とは、第一主面に直交する方向から見て、第一方向と直交する第二方向に並んでいる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)