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1. (WO2018088165) SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2018/088165 International Application No.: PCT/JP2017/037892
Publication Date: 17.05.2018 International Filing Date: 19.10.2017
IPC:
H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/8222 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: DENSO CORPORATION[JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
Inventors: YAMADA Akira; JP
SAKURAI Shinya; JP
NAKANO Takashi; JP
KONDO Yosuke; JP
MOTOJIMA Mutsuya; JP
Agent: YOU-I PATENT FIRM; Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
Priority Data:
2016-21902909.11.2016JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN) While a plurality of N-type body regions (5) are provided for one cell of a GGMOS, the N-type impurity concentrations of the N-type body regions (5) are set to be low, so that a Schottky contact with a cathode electrode is formed. Specifically, the plurality of N-type body regions (5) are provided so as to surround a cell included in the GGMOS. Accordingly, the body contact resistance can be increased, the base resistance can be increased, and thus, a parasitic PNP transistor can be turned on more quickly. Therefore, surge current can be appropriately inhibited from flowing through an element to be protected.
(FR) Tandis qu'une pluralité de régions de corps de type N (5) sont fournies pour une cellule d'un GGMOS, les concentrations d'impuretés de type N des régions de corps de type N (5) sont réglées pour être faibles, de telle sorte qu'un contact Schottky doté d'une électrode de cathode est formé. Plus particulièrement, la pluralité de régions de corps de type N (5) sont disposées de façon à entourer une cellule incluse dans le GGMOS. Par conséquent, la résistance de contact de corps peut être augmentée, la résistance de base peut être augmentée, et ainsi, un transistor PNP parasite peut être allumé plus rapidement. Par conséquent, il est possible d'empêcher de manière appropriée qu'un courant de surtension ne circule dans un élément à protéger.
(JA) GGMOSの1セルに対してN型ボディ領域(5)が複数個配置されるようにしつつ、N型ボディ領域(5)のN型不純物濃度を低く設定することで、カソード電極とショットキー接触させられるようにする。具体的には、GGMOSを構成するセルを囲むようにN型ボディ領域(5)を複数個配置する。これにより、ボディコンタクト抵抗を高くでき、ベース抵抗を高くできるため、より早く寄生PNPトランジスタをオンさせることが可能となる。したがって、被保護素子に対してサージ電流が流れることを的確に抑制することが可能となる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)