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1. (WO2018088063) SILICON-CARBIDE SEMICONDUCTOR APPARATUS
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Pub. No.:    WO/2018/088063    International Application No.:    PCT/JP2017/035921
Publication Date: 17.05.2018 International Filing Date: 03.10.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventors: UCHIDA, Kosuke; (JP).
HIYOSHI, Toru; (JP)
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2016-220389 11.11.2016 JP
Title (EN) SILICON-CARBIDE SEMICONDUCTOR APPARATUS
(FR) APPAREIL SEMICONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
Abstract: front page image
(EN)According to the present invention, at least one gate trench defined by side surfaces and a bottom surface is provided to an active region. A terminal region includes a second impurity region that surrounds the active region. Each of the side surfaces has a first outer end surface that faces the inner end surface of the second impurity region. The bottom surface has: a first bottom part that is connected to the first outer end surface; and a second bottom part that is located on a side opposed to an inner end surface with respect to the first bottom part and that is connected to the first bottom part. A silicon-carbide substrate has a first region and a second region that are separated from each other with a drift region interposed therebetween and that are positioned between the at least one gate trench and a second principal surface. A gap between the first region and the second region that are positioned between the first bottom part and the second principal surface is smaller than that between a first region and a second region that are positioned between the second bottom part and the second principal surface, in a direction parallel to the first outer end surface.
(FR)Selon la présente invention, au moins une tranchée de grille définie par des surfaces latérales et une surface inférieure est disposée sur une région active. Une région de borne comprend une seconde région d'impureté qui entoure la région active. Chacune des surfaces latérales a une première surface d'extrémité externe qui fait face à la surface d'extrémité interne de la seconde région d'impureté. La surface inférieure comporte : une première partie inférieure qui est reliée à la première surface d'extrémité externe; et une seconde partie inférieure qui est située sur un côté opposé à une surface d'extrémité interne par rapport à la première partie inférieure et qui est reliée à la première partie inférieure Un substrat de carbure de silicium a une première région et une seconde région qui sont séparées l'une de l'autre avec une région de dérive interposée entre celles-ci et qui sont positionnées entre l'au moins une tranchée de grille et une seconde surface principale. Un espace entre la première région et la seconde région qui sont positionnées entre la première partie inférieure et la seconde surface principale est plus petit que celui entre une première région et une seconde région qui sont positionnées entre la seconde partie inférieure et la seconde surface principale, dans une direction parallèle à la première surface d'extrémité externe.
(JA)活性領域には、側面と、底面とにより規定された1以上のゲートトレンチが設けられている。終端領域は、活性領域を取り囲む第2不純物領域を含む。側面は、第2不純物領域の内端面に面する第1外端面を有する。底面は、第1外端面と連なる第1底部と、第1底部と連なり、かつ第1底部に対して内端面と反対側にある第2底部とを有する。炭化珪素基板は、1以上のゲートトレンチと第2主面との間に位置し、かつドリフト領域を挟んで離間する第1領域および第2領域を有する。第1外端面に平行な方向において、第1底部と第2主面との間に位置する第1領域および第2領域の間隔は、第2底部と第2主面との間に位置する第1領域および第2領域の間隔よりも小さい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)