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1. (WO2018088003) MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
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Pub. No.:    WO/2018/088003    International Application No.:    PCT/JP2017/031727
Publication Date: 17.05.2018 International Filing Date: 04.09.2017
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventors: YOTSUTANI Tatsuya; (JP).
TERASAKI Masato; (JP).
OZAKI Takashi; (JP).
AKAE Naonori; (JP).
NISHIO Shogo; (JP)
Agent: FUKUOKA Masahiro; (JP).
ANIYA Setuo; (JP)
Priority Data:
2016-220109 11.11.2016 JP
Title (EN) MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
Abstract: front page image
(EN)The present invention includes a step for forming an oxide film on a substrate by executing, a prescribed number of times, a cycle in which a step for suppling raw material gas to the substrate via a first nozzle and a step for supplying a first oxygen-containing gas to the substrate via a second nozzle differing from the first nozzle are carried out non-simultaneously. The step for supplying raw material gas includes a period during which a second oxygen-containing gas is supplied to the substrate via a third nozzle differing from the first nozzle and the second nozzle.
(FR)La présente invention comprend une étape consistant à former un film d'oxyde sur un substrat par exécution, d'un nombre prescrit de fois, un cycle dans lequel une étape d'alimentation en gaz de matière première au substrat par l'intermédiaire d'une première buse et une étape d'alimentation d'un premier gaz contenant de l'oxygène vers le substrat par l'intermédiaire d'une seconde buse différente de la première buse sont effectuées de manière non simultanée. L'étape d'alimentation en gaz de matière première comprend une période au cours de laquelle un second gaz contenant de l'oxygène est fourni au substrat par l'intermédiaire d'une troisième buse différente de la première buse et de la seconde buse.
(JA)基板に対して第1ノズルより原料ガスを供給する工程と、基板に対して第1ノズルとは異なる第2ノズルより第1の酸素含有ガスを供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで基板上に酸化膜を形成する工程を有し、原料ガスを供給する工程は、基板に対して、第1ノズルおよび第2ノズルとはそれぞれ異なる第3ノズルより第2の酸素含有ガスを供給する期間を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)