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1. (WO2018087460) SYSTEM FOR CHARACTERISING A POWER DIODE
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Pub. No.: WO/2018/087460 International Application No.: PCT/FR2017/053026
Publication Date: 17.05.2018 International Filing Date: 06.11.2017
IPC:
G01R 31/26 (2014.01)
Applicants: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES[FR/FR]; Bâtiment le Ponant D 25 rue Leblanc 75015 Paris, FR
Inventors: VANDENDAELE, William; FR
LORIN, Thomas; FR
Agent: GUERIN, Jean-Philippe; FR
COLOMBO, Michel; FR
BIE, Nicolas; FR
Priority Data:
166087109.11.2016FR
Title (EN) SYSTEM FOR CHARACTERISING A POWER DIODE
(FR) SYSTEME DE CARACTERISATION D'UNE DIODE DE PUISSANCE
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to a device (1) for characterising a power diode (2), comprising: - first and second power supply nodes (11, 12); - a power supply (3) comprising: - a first voltage source (311) connected to the first node (11); - a second voltage source (323); - a first resistor (322) connected in series between the second voltage source and the second node (12); - a controlled switch (6) for selectively connecting the second node (12) to a potential less than a first potential; - a voltage clipping circuit (4) comprising: - a third voltage source; - a second resistor and a first diode connected in series between the third voltage source and the second node; - a measurement terminal, connected to an intermediate node between the second resistor and the first diode.
(FR) L'invention concerne un dispositif de caractérisation (1) d'une diode de puissance (2), comprenant : -des premier et deuxième nœuds d'alimentation (11, 12); -une alimentation (3) comprenant : -une première source de tension (311) connectée au premier nœud (11); -une deuxième source de tension (323); -une première résistance (322) connectée en série entre la deuxième source de tension et ledit deuxième nœud (12); -un interrupteur commandé (6) pour connecter sélectivement le deuxième nœud (12) à un potentiel inférieur à un premier potentiel; -un circuit d'écrêtage de tension (4) comprenant : -une troisième source de tension; -une deuxième résistance et une première diode connectées en série entre la troisième source de tension et ledit deuxième nœud; -une borne de mesure, connectée à un nœud intermédiaire entre la deuxième résistance et la première diode.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)