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1. (WO2018086666) JUNCTION TEMPERATURE MEASUREMENT IN A POWER SEMICONDUCTOR MODULE
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Pub. No.:    WO/2018/086666    International Application No.:    PCT/DK2017/050366
Publication Date: 17.05.2018 International Filing Date: 08.11.2017
IPC:
G01K 7/16 (2006.01)
Applicants: AALBORG UNIVERSITET [DK/DK]; Fredrik Bajers Vej 5 9220 Aalborg Ø (DK)
Inventors: BAKER, Nick; (DK)
Agent: PLOUGMANN VINGTOFT A/S; Rued Langgaards Vej 8 2300 Copenhagen S (DK)
Priority Data:
PA 2016 00693 08.11.2016 DK
Title (EN) JUNCTION TEMPERATURE MEASUREMENT IN A POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MESURE DE TEMPÉRATURE DE JONCTION DANS UN MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Abstract: front page image
(EN)A method for determining the temperature of a power semiconductor, where the power semiconductor includes an auxiliary emitter terminal and an emitter terminal, and a resistance component arranged between. The resistance component is thermally coupled and/or integrated into the semiconductor die. The resistance component is arranged between the auxiliary emitter terminal and the emitter terminal, and lies in the path of the control current. The resistance component has a temperature dependent resistance characteristic. A measurement circuit is used to inject a sufficient sensing current, or apply a suitable voltage, to the resistance component between the auxiliary emitter and emitter terminals, in order to generate an output signal that is dependent on the temperature dependent resistance of the resistance component. The output signal can be assessed with respect to a predefined temperature characteristic curve, obtained through a calibration procedure. Thus, the temperature of the semiconductor is measured.
(FR)L'invention concerne un procédé de détermination de la température d'un semi-conducteur de puissance, le semi-conducteur de puissance comprenant une borne d'émetteur auxiliaire et une borne d'émetteur, et un composant de résistance disposé entre. Le composant de résistance est couplé thermiquement et/ou intégré dans la puce semi-conductrice. Le composant de résistance est disposé entre la borne d'émetteur auxiliaire et la borne d'émetteur, et se trouve dans la trajectoire du courant de commande. Le composant de résistance présente une caractéristique de résistance dépendant de la température. Un circuit de mesure est utilisé afin d'injecter un courant de détection suffisant, ou d'appliquer une tension appropriée, au composant de résistance entre les bornes d'émetteur et d'émetteur auxiliaires, afin de générer un signal de sortie qui dépend de la résistance thermodépendante du composant de résistance. Le signal de sortie peut être évalué par rapport à une courbe caractéristique de température prédéfinie, obtenue par une procédure d'étalonnage. Ainsi, la température du semi-conducteur est mesurée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)