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1. (WO2018085250) BACKSIDE ILLUMINATED GLOBAL SHUTTER CMOS IMAGE SENSOR
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Pub. No.:    WO/2018/085250    International Application No.:    PCT/US2017/059242
Publication Date: 11.05.2018 International Filing Date: 31.10.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/374 (2011.01)
Applicants: BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION INC. [US/US]; PO Box 868 Nashua, NH 03061-0868 (US)
Inventors: MCGRATH, R., Daniel; (US)
Agent: ASMUS, Scott, J.; (US)
Priority Data:
15/342,253 03.11.2016 US
Title (EN) BACKSIDE ILLUMINATED GLOBAL SHUTTER CMOS IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGE CMOS À OBTURATEUR GLOBAL RÉTROÉCLAIRÉ
Abstract: front page image
(EN)A system and method are provided for photonic isolation of storage nodes, with at least one storage node disposed on a substrate paired with a backside illuminated photonic sensor and configured to receive data collected by the sensor until read; at least one trench disposed in the substrate, the trench being aligned with the storage node; and a photonic block, disposed in the trench, proximate to the storage node and blocking photons to at least a portion of the storage node.
(FR)L'invention concerne un système et un procédé pour l'isolation photonique de nœuds de stockage, avec au moins un nœud de stockage disposé sur un substrat apparié à un capteur photonique rétroéclairé et configuré pour recevoir des données collectées par le capteur jusqu'à la lecture; au moins une tranchée disposée dans le substrat, la tranchée étant alignée avec le nœud de stockage; et un bloc photonique, disposé dans la tranchée, à proximité du nœud de stockage et bloquant des photons vers au moins une partie du nœud de stockage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)