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1. (WO2018085022) METHODS OF FORMING AN ARRAY COMPRISING PAIRS OF VERTICALLY OPPOSED CAPACITORS AND ARRAYS COMPRISING PAIRS OF VERTICALLY OPPOSED CAPACITORS
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Pub. No.: WO/2018/085022 International Application No.: PCT/US2017/056477
Publication Date: 11.05.2018 International Filing Date: 13.10.2017
IPC:
H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 49/02 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC.[US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716, US
Inventors: RAMASWAMY, Durai, Vishak Nirmal; US
Agent: MATKIN, Mark, S.; US
LATWESEN, David, G.; US
HENDRICKSEN, Mark, W.; US
SHAURETTE, James, D.; US
GRZELAK, Keith, D.; US
Priority Data:
15/340,83801.11.2016US
Title (EN) METHODS OF FORMING AN ARRAY COMPRISING PAIRS OF VERTICALLY OPPOSED CAPACITORS AND ARRAYS COMPRISING PAIRS OF VERTICALLY OPPOSED CAPACITORS
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION D’UNE BARRETTE COMPRENANT DES PAIRES DE CONDENSATEURS VERTICALEMENT OPPOSÉS ET BARRETTES COMPRENANT DES PAIRES DE CONDENSATEURS VERTICALEMENT OPPOSÉS
Abstract: front page image
(EN) A method of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors comprises forming a conductive lining in individual capacitor openings in insulative-comprising material. An elevational mid-portion of individual of the conductive linings is removed to form an upper capacitor electrode lining and a lower capacitor electrode lining that are elevationally separate and spaced from one another in the individual capacitor openings. A capacitor insulator is formed laterally inward of the upper and lower capacitor electrode linings in the individual capacitor openings. Conductive material is formed laterally inward of the capacitor insulator in the individual capacitor openings and elevationally between the capacitor electrode linings. The conductive material is formed to comprise a shared capacitor electrode that is shared by vertically opposed capacitors in individual of the pairs of vertically opposed capacitors. Additional methods and structure independent of method are disclosed.
(FR) L’invention concerne un procédé de formation d’une barrette comprenant des paires de condensateurs verticalement opposés qui consiste à former un revêtement conducteur dans des ouvertures de condensateurs individuels en matériau comprenant un isolant. Une partie centrale d’élévation de l'un des revêtements conducteurs est retirée pour former un revêtement d’électrode supérieure de condensateur et un revêtement d’électrode inférieure de condensateur qui sont séparés en élévation et espacés l’un par rapport à l’autre dans les ouvertures de condensateurs individuels. Un isolant de condensateur est formé latéralement vers l’intérieur des revêtements d’électrodes de condensateur supérieure et inférieure dans les ouvertures de condensateurs individuels. Du matériau conducteur est formé latéralement vers l’intérieur de l’isolant de condensateur dans les ouvertures de condensateurs individuels et en élévation entre les revêtements d’électrodes de condensateur. Le matériau conducteur est formé de manière à comprendre une électrode de condensateur partagée qui est partagée par des condensateurs verticalement opposés dans l'une des paires de condensateurs verticalement opposés. L’invention concerne des procédés et une structure additionnels indépendants du procédé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)