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1. (WO2018084933) RAPID PULSE ANNEALING OF CDZNTE DETECTORS FOR REDUCING ELECTRONIC NOISE
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Pub. No.: WO/2018/084933 International Application No.: PCT/US2017/050800
Publication Date: 11.05.2018 International Filing Date: 08.09.2017
IPC:
H01L 31/115 (2006.01) ,G01T 1/24 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08
in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10
characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
115
Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
T
MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1
Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16
Measuring radiation intensity
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with semiconductor detectors
Applicants:
LAWRENCE LIVERMORE NATIONAL SECURITY, LLC [US/US]; 2300 First Street Suite 204 Livermore, California 94550, US
Inventors:
VOSS, Lars; US
CONWAY, Adam; US
NELSON, Art; US
NIKOLIC, Rebecca J.; US
PAYNE, Stephen A.; US
SWANBERG, Erik Lars; US
Agent:
KOTAB, Dominic; US
Priority Data:
15/343,08103.11.2016US
Title (EN) RAPID PULSE ANNEALING OF CDZNTE DETECTORS FOR REDUCING ELECTRONIC NOISE
(FR) RECUIT PAR IMPULSION RAPIDE DE DÉTECTEURS À CDZNTE POUR RÉDUIRE LE BRUIT ÉLECTRONIQUE
Abstract:
(EN) A combination of doping, rapid pulsed optical and/or thermal annealing, and unique detector structure reduces or eliminates sources of electronic noise in a CdZnTe (CZT) detector. According to several embodiments, methods of forming a detector exhibiting minimal electronic noise include: pulse-annealing at least one surface of a detector comprising CZT for one or more pulses, each pulse having a duration of ~0.1 seconds or less. The surface(s) may optionally be ion-implanted. In another embodiment, a CZT detector includes a detector surface with two or more electrodes operating at different electric potentials and coupled to the detector surface; and one or more ion-implanted CZT surfaces on or in the detector surface, each of the one or more ion-implanted CZT surfaces being independently connected to one of the electrodes and the surface of the detector. At least two of the ion-implanted surfaces are in electrical contact.
(FR) La présente invention concerne la combinaison d'un dopage, d'un recuit optique et/ou thermique pulsé rapide et d'une structure de détecteur unique pour réduire ou éliminer les sources de bruit électronique dans un détecteur à CdZnTe (CZT). Selon plusieurs modes de réalisation, des procédés de formation d'un détecteur présentant un bruit électronique minimal comprennent: le recuit par impulsions d'au moins une surface d'un détecteur comprenant du CZT pendant une ou plusieurs impulsions, chaque impulsion ayant une durée inférieure ou égale à ~0,1 seconde. La ou les surfaces peuvent éventuellement avoir subi une implantation ionique. Dans un autre mode de réalisation, un détecteur à CZT comprend une surface de détecteur pourvue d'au moins deux électrodes fonctionnant à des potentiels électriques différents et couplées à la surface de détecteur; et une ou plusieurs surfaces en CZT ayant subi une implantation ionique sur ou dans la surface de détecteur, la ou les surfaces en CZT ayant subi une implantation ionique étant indépendamment connectées à l'une des électrodes et à la surface du détecteur. Au moins deux des surfaces ayant subi une implantation ionique sont en contact électrique.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)