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1. (WO2018084933) RAPID PULSE ANNEALING OF CDZNTE DETECTORS FOR REDUCING ELECTRONIC NOISE
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Pub. No.:    WO/2018/084933    International Application No.:    PCT/US2017/050800
Publication Date: 11.05.2018 International Filing Date: 08.09.2017
IPC:
H01L 31/115 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01)
Applicants: LAWRENCE LIVERMORE NATIONAL SECURITY, LLC [US/US]; 2300 First Street Suite 204 Livermore, California 94550 (US)
Inventors: VOSS, Lars; (US).
CONWAY, Adam; (US).
NELSON, Art; (US).
NIKOLIC, Rebecca J.; (US).
PAYNE, Stephen A.; (US).
SWANBERG, Erik Lars; (US)
Agent: KOTAB, Dominic; (US)
Priority Data:
15/343,081 03.11.2016 US
Title (EN) RAPID PULSE ANNEALING OF CDZNTE DETECTORS FOR REDUCING ELECTRONIC NOISE
(FR) RECUIT PAR IMPULSION RAPIDE DE DÉTECTEURS À CDZNTE POUR RÉDUIRE LE BRUIT ÉLECTRONIQUE
Abstract: front page image
(EN)A combination of doping, rapid pulsed optical and/or thermal annealing, and unique detector structure reduces or eliminates sources of electronic noise in a CdZnTe (CZT) detector. According to several embodiments, methods of forming a detector exhibiting minimal electronic noise include: pulse-annealing at least one surface of a detector comprising CZT for one or more pulses, each pulse having a duration of ~0.1 seconds or less. The surface(s) may optionally be ion-implanted. In another embodiment, a CZT detector includes a detector surface with two or more electrodes operating at different electric potentials and coupled to the detector surface; and one or more ion-implanted CZT surfaces on or in the detector surface, each of the one or more ion-implanted CZT surfaces being independently connected to one of the electrodes and the surface of the detector. At least two of the ion-implanted surfaces are in electrical contact.
(FR)La présente invention concerne la combinaison d'un dopage, d'un recuit optique et/ou thermique pulsé rapide et d'une structure de détecteur unique pour réduire ou éliminer les sources de bruit électronique dans un détecteur à CdZnTe (CZT). Selon plusieurs modes de réalisation, des procédés de formation d'un détecteur présentant un bruit électronique minimal comprennent: le recuit par impulsions d'au moins une surface d'un détecteur comprenant du CZT pendant une ou plusieurs impulsions, chaque impulsion ayant une durée inférieure ou égale à ~0,1 seconde. La ou les surfaces peuvent éventuellement avoir subi une implantation ionique. Dans un autre mode de réalisation, un détecteur à CZT comprend une surface de détecteur pourvue d'au moins deux électrodes fonctionnant à des potentiels électriques différents et couplées à la surface de détecteur; et une ou plusieurs surfaces en CZT ayant subi une implantation ionique sur ou dans la surface de détecteur, la ou les surfaces en CZT ayant subi une implantation ionique étant indépendamment connectées à l'une des électrodes et à la surface du détecteur. Au moins deux des surfaces ayant subi une implantation ionique sont en contact électrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)