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1. (WO2018083961) METHOD FOR TRANSFERRING DEVICE LAYER TO TRANSFER SUBSTRATE AND HIGHLY HEAT CONDUCTIVE SUBSTRATE
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Pub. No.: WO/2018/083961 International Application No.: PCT/JP2017/037143
Publication Date: 11.05.2018 International Filing Date: 13.10.2017
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02
including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
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the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Applicants:
信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventors:
小西 繁 KONISHI Shigeru; JP
久保田 芳宏 KUBOTA Yoshihiro; JP
Agent:
折坂 茂樹 ORISAKA Shigeki; JP
Priority Data:
2016-21449201.11.2016JP
Title (EN) METHOD FOR TRANSFERRING DEVICE LAYER TO TRANSFER SUBSTRATE AND HIGHLY HEAT CONDUCTIVE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT D'UNE COUCHE DE DISPOSITIF SUR UN SUBSTRAT DE TRANSFERT ET SUBSTRAT HAUTEMENT CONDUCTEUR DE CHALEUR
(JA) デバイス層を転写基板に転写する方法および高熱伝導性基板
Abstract:
(EN) Provided are: a method for producing a substrate having excellent heat dissipation properties and low loss in terms of high frequencies, which does not require a high-temperature process that causes diffusion of metal impurities; and a highly heat conductive substrate. A method for transferring a device layer to a transfer substrate according to the present invention transfers a device layer of an SOI wafer, wherein an Si layer, an insulator layer and the device layer are laminated, to a transfer substrate, and comprises: a step for temporarily bonding a surface of the SOI wafer, which has been provided with the device layer, to a supporting substrate with use of an adhesive for temporary bonding; a step for obtaining a thinned device wafer by removing the Si layer of the SOI wafer until the insulator layer is exposed; a step wherein an adhesive for transfer is applied only to the transfer substrate and subsequently, the insulator layer of the thinned device wafer is bonded to the transfer substrate with the adhesive for transfer being interposed therebetween; a step for thermally curing the adhesive for transfer under a load at the same time as or after the bonding; a step for separating the supporting substrate; and a step for removing the adhesive for temporary bonding remaining on the surface of the device layer after the separation.
(FR) L'invention concerne : un procédé de production d'un substrat ayant d'excellentes propriétés de dissipation de chaleur et une faible perte en termes de hautes fréquences, qui ne nécessite pas de processus à haute température qui provoque la diffusion d'impuretés métalliques; et un substrat hautement conducteur de chaleur. Un procédé de transfert d'une couche de dispositif sur un substrat de transfert selon la présente invention transfère une couche de dispositif d'une tranche de SOI, une couche de Si, une couche isolante et la couche de dispositif étant stratifiées, sur un substrat de transfert, et comprenant: une étape pour lier temporairement une surface de la tranche de SOI, qui a été fournie avec la couche de dispositif, à un substrat de support à l'aide d'un adhésif pour une liaison temporaire; une étape consistant à obtenir une tranche de dispositif amincie par retrait de la couche de Si de la tranche de SOI jusqu'à ce que la couche isolante soit exposée; une étape dans laquelle un adhésif pour transfert n'est appliqué que sur le substrat de transfert et, par la suite, la couche isolante de la tranche de dispositif amincie est liée au substrat de transfert avec l'adhésif pour un transfert interposé entre celles-ci; une étape de durcissement thermique de l'adhésif pour un transfert sous une charge en même temps que ou après la liaison; une étape de séparation du substrat de support; et une étape consistant à retirer l'adhésif pour une liaison temporaire restant sur la surface de la couche de dispositif après la séparation.
(JA) 金属不純物の拡散が生じる高温プロセスを必要とせず、放熱性に優れ、且つ高周波に対する損失の小さい基板の製造方法および高熱伝導性基板を提供する。本発明のデバイス層を転写基板に転写する方法は、Si層、絶縁体層、及びデバイス層が積層されたSOIウェハにおけるデバイス層を転写基板に転写する方法であって、SOIウェハのデバイス層が形成された面を、仮接合用接着剤を用いて支持基板に仮接合する工程と、絶縁体層が露出するまでSOIウェハのSi層を除去して薄化デバイスウェハを得る工程と、転写基板にのみ転写用接着剤を塗布した後に、薄化デバイスウェハにおける絶縁体層を、転写用接着剤を介して接合する工程と、接合と同時または接合後に荷重下で転写用接着剤を熱硬化させる工程と、支持基板を剥離する工程と、剥離後にデバイス層の表面に残存する仮接合用接着剤を除去する工程とを備える。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)