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1. (WO2018083904) SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION METHOD
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Pub. No.:    WO/2018/083904    International Application No.:    PCT/JP2017/033944
Publication Date: 11.05.2018 International Filing Date: 20.09.2017
IPC:
G01R 31/302 (2006.01), G01R 31/26 (2014.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventors: MATSUMOTO Toru; (JP).
SHIMASE Akira; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; (JP).
KUROKI Yoshiki; (JP).
SHIBAYAMA Kenichi; (JP)
Priority Data:
2016-216307 04.11.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION METHOD
(FR) APPAREIL D'INSPECTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ D'INSPECTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイス検査装置及び半導体デバイス検査方法
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor device inspection apparatus inspects a semiconductor device to be inspected on the basis of a result signal outputted in accordance with the input of a test pattern signal to the semiconductor device, and comprises: an ultrasonic transducer which is arranged opposite to the semiconductor device and which generates ultrasonic waves; a stage which moves the relative position of the semiconductor device and the ultrasonic transducer; a stimulation condition control unit which controls a condition of stimulation by the ultrasonic waves applied to the semiconductor device; and an analysis unit which generates a measurement image on the basis of the result signal outputted from the semiconductor device.
(FR)L'invention concerne un appareil d'inspection de dispositif à semi-conducteur qui inspecte un dispositif à semi-conducteur qui doit être inspecté d'après un signal de résultat délivré en fonction de l'entrée d'un signal de motif de test au dispositif à semi-conducteur, et qui comprend : un transducteur à ultrasons qui est placé à l'opposé du dispositif à semi-conducteur et qui génère des ondes ultrasonores ; un étage qui déplace la position relative du dispositif à semi-conducteur et du transducteur à ultrasons ; une unité de commande de condition de stimulation qui commande une condition de stimulation par les ondes ultrasonores appliquées au dispositif à semi-conducteur ; et une unité d'analyse qui génère une image de mesure sur la base du signal de résultat délivré par le dispositif à semi-conducteur.
(JA)半導体デバイス検査装置は、被検査体である半導体デバイスに対するテストパターン信号の入力に応じて出力される結果信号に基づいて当該半導体デバイスを検査する装置であって、半導体デバイスに対向して配置され、超音波を発生する超音波振動子と、半導体デバイスと超音波振動子との相対位置を移動させるステージと、半導体デバイスに与えられる超音波による刺激の条件を制御する刺激条件制御部と、半導体デバイスから出力される結果信号に基づいて測定画像を生成する解析部と、を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)