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1. (WO2018081635) METHODS FOR GROWING LIGHT EMITTING DEVICES UNDER ULTRA-VIOLET ILLUMINATION
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Pub. No.:    WO/2018/081635    International Application No.:    PCT/US2017/058867
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 27.10.2017
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: LUMILEDS LLC [US/US]; 370 West Trimble Road San Jose, California 95131 (US)
Inventors: ISHIKAWA, Tsutomu; (US).
WILDESON, Isaac; (US).
NELSON, Erik Charles; (US).
DEB, Parijat; (US)
Agent: HUQ, Abhik A.; (US)
Priority Data:
62/414,612 28.10.2016 US
16204234.5 15.12.2016 EP
15/793,723 25.10.2017 US
Title (EN) METHODS FOR GROWING LIGHT EMITTING DEVICES UNDER ULTRA-VIOLET ILLUMINATION
(FR) PROCÉDÉS DE CROISSANCE DE DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS SOUS ÉCLAIRAGE ULTRA-VIOLET
Abstract: front page image
(EN)Described herein are methods for growing light emitting devices under ultra-violet (UV) illumination. A method includes growing a III-nitride n-type layer over a III-nitride p-type layer under UV illumination. Another method includes growing a light emitting device structure on a growth substrate and growing a tunnel junction on the light emitting device structure, where certain layers are grown under UV illumination. Another method includes forming a III-nitride tunnel junction n-type layer over the III-nitride p-type layer to form a tunnel junction light emitting diode. A surface of the III-nitride tunnel junction n-type layer is done under illumination during an initial period and a remainder of the formation is completed absent illumination. The UV light has photon energy higher than the III-nitride p-type layer's band gap energy. The UV illumination inhibits formation of Mg-H complexes within the III-nitride p-type layer resulting from hydrogen present in a deposition chamber.
(FR)L'invention concerne également des procédés de croissance de dispositifs électroluminescents sous éclairage ultraviolet (UV). Un procédé comprend la croissance d'une couche de type n de nitrure III sur une couche de type p de nitrure III sous éclairage UV. Un autre procédé comprend la croissance d'une structure de dispositif électroluminescent sur un substrat de croissance et la croissance d'une jonction tunnel sur la structure de dispositif électroluminescent, certaines couches étant cultivées sous éclairage UV. Un autre procédé consiste à former une couche de type n à jonction tunnel de nitrure III sur la couche de type p de nitrure III afin de former une diode électroluminescente à jonction tunnel. Une surface de la couche de type n à jonction tunnel de nitrure III est réalisée sous éclairage pendant une période initiale et un reste de la formation est terminé sans éclairage. La lumière UV présente une énergie photonique supérieure à l'énergie de largeur de bande interdite de la couche de type p de nitrure III. L'éclairage UV inhibe la formation de complexes Mg-H à l'intérieur de la couche de type p de nitrure III résultant de l'hydrogène présent dans une chambre de dépôt.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)