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1. (WO2018081403) FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY (FERAM) ARRAY WITH SEGMENTED PLATE LINES
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Pub. No.: WO/2018/081403 International Application No.: PCT/US2017/058500
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 26.10.2017
IPC:
G11C 11/22 (2006.01)
Applicants: AUCMOS TECHNOLOGIES USA, INC.[US/US]; 2901 Tasman Drive, Suite 109 Santa Clara, California 95054, US
Inventors: YAN, Tianhong; US
Agent: KWOK, Edward; US
VLP LAW GROUP, LLP; 555 Bryant Street, Suite 820 Palo Alto, California 94301, US
Priority Data:
15/391,99128.12.2016US
62/414,76530.10.2016US
Title (EN) FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY (FERAM) ARRAY WITH SEGMENTED PLATE LINES
(FR) RÉSEAU DE MÉMOIRE VIVE FERROÉLECTRIQUE (FERAM) À LIGNES DE PLAQUES SEGMENTÉES
Abstract: front page image
(EN) A ferroelectric random access memory (FeRAM) array includes (a) a first section of FeRAM cells sharing a first plate line and a word line; and (b) a second section of FeRAM cells sharing a second plate line and the word line, wherein the first plate line and the second plate line are electrically unconnected, and wherein only the first section of FeRAM cells or the second section of FeRAM cells, but not both, are selected for a read operation at any given time. In each section of the FeRAM cells, a plate line selection cell connects the corresponding plate line to a plate line selection line. Each FeRAM cell in each section is read or written over a pair of bit lines running in a direction transverse to the word line of the section, and the plate line selection line runs along a direction parallel to the bit lines.
(FR) L'invention concerne un réseau de mémoire vive ferroélectrique (FeRAM) comprenant (a) une première section de cellules FeRAM partageant une première ligne de plaque et une ligne de mots ; et (b) une seconde section de cellules FeRAM partageant une seconde ligne de plaque et la ligne de mots, la première ligne de plaque et la seconde ligne de plaque étant électriquement reliées, et seule la première section de cellules FeRAM ou la seconde section de cellules FeRAM, mais pas les deux, est sélectionnée pour une opération de lecture à n'importe quel moment donné. Dans chaque section des cellules FeRAM, une cellule de sélection de ligne de plaque relie la ligne de plaque correspondante à une ligne de sélection de ligne de plaque. Chaque cellule FeRAM dans chaque section est lue ou écrite sur une paire de lignes de bits se déplaçant dans une direction transversale à la ligne de mots de la section, et la ligne de sélection de ligne de plaque se déplace le long d'une direction parallèle aux lignes de bits.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)