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1. (WO2018080946) IMAGE SENSOR WITH PHASE-SENSITIVE PIXELS
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Pub. No.: WO/2018/080946 International Application No.: PCT/US2017/057781
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 23.10.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: INVISAGE TECHNOLOGIES, INC.[US/US]; 7979 Gateway Boulevard, Suite 240 Newark, California 94560, US
Inventors: PATTANTYUS-ABRAHAM, Andras; US
BOCK, Nikolai E.; US
MANDELLI, Emanuele; US
Agent: KLIGLER, Daniel; IL
Priority Data:
62/411,91024.10.2016US
Title (EN) IMAGE SENSOR WITH PHASE-SENSITIVE PIXELS
(FR) CAPTEUR D'IMAGES À PIXELS SENSIBLES À LA PHASE
Abstract: front page image
(EN) Imaging apparatus (100, 200) includes a photosensitive medium (302) configured to convert incident photons into charge carriers. A bias electrode (304) overlies the photosensitive medium and applies a bias potential to the photosensitive medium. One or more pixel circuits (306) are formed on a semiconductor substrate. Each pixel circuit defines a respective pixel (300) and includes first and second pixel electrodes (316, 318) coupled to collect the charge carriers from the photosensitive medium at respective first and second locations, and first and second transfer gates (326, 328) in respective proximity to the first and second pixel electrodes. Circuitry (700) is coupled to apply different, respective first and second potentials to the first and second transfer gates and to vary the first and second potentials so as to control relative proportions of the charge carriers that are collected by the first and second electrodes.
(FR) L'invention concerne un appareil d'imagerie (100, 200,) comprenant un support photosensible (302) configuré pour convertir des photons incidents en porteurs de charge. Une électrode de polarisation (304) recouvre le support photosensible et applique un potentiel de polarisation au support photosensible. Un ou plusieurs circuits de pixel (306) sont formés sur un substrat semiconducteur. Chaque circuit de pixel définit un pixel respectif (300) et comprend des première et seconde électrodes de pixel (316, 318) couplé pour collecter les porteurs de charge à partir du support photosensible à des premier et second emplacements respectifs, et des première et seconde grilles de transfert (326, 328) à proximité respective des première et seconde électrodes de pixel. Des circuits (700) sont couplés pour appliquer différents premiers et seconds potentiels respectifs aux première et seconde grilles de transfert et pour faire varier les premier et second potentiels de façon à commander des proportions relatives des porteurs de charge qui sont collectés par les première et seconde électrodes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)