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1. (WO2018080644) DYNAMIC READ FOR A NAND MEMORY
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Pub. No.: WO/2018/080644 International Application No.: PCT/US2017/050568
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 07.09.2017
IPC:
G11C 11/56 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/32 (2006.01) ,G06F 11/10 (2006.01)
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC[US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventors: ALROD, Idan; US
SHARON, Eran; US
EYAL, Alon; US
PANG, Liang; US
MEKHANIK, Evgeny; US
Agent: MAGEN, Burt; US
Priority Data:
15/333,44025.10.2016US
Title (EN) DYNAMIC READ FOR A NAND MEMORY
(FR) LECTURE DYNAMIQUE POUR UNE MÉMOIRE NON-ET
Abstract: front page image
(EN) Techniques are provided for improving the accuracy of read operations of memory cells, where the threshold voltage of a memory cell can shift depending on when the read operation occurs. A memory cell is sensed by discharging a sense node into a bit line and detecting an amount of discharge at two sense times relative to a trip voltage. A bit of data is stored in first and second latches based on the two sense times, to provide first and second pages of data. The pages are evaluated using parity check equations and one of the pages which satisfies the most equations is selected. In another option, word line voltages are grounded and then floated to prevent coupling up of the word line. A weak pulldown to ground can gradually discharge a coupled up voltage of the word lines.
(FR) L'invention concerne des techniques permettant d'améliorer la précision des opérations de lecture de cellules de mémoire, la tension seuil d'une cellule de mémoire pouvant varier en fonction du moment où l'opération de lecture se produit . Une cellule de mémoire est détectée par décharge d'un nœud de détection dans une ligne de bits et détection d'une quantité de décharge à deux phases de détection par rapport à une tension de déclenchement. Un bit de données est stocké dans des premier et second verrous sur la base des deux phases de détection, pour fournir des première et seconde pages de données. Les pages sont évaluées à l'aide d'équations de contrôle de parité et l'une des pages qui satisfait les plus équations est sélectionnée. Dans une autre option, des tensions de ligne de mots sont mises à la terre puis amenées à flotter pour empêcher le couplage de la ligne de mots. Un faible abaissement à la masse peut décharger progressivement une tension de montée des lignes de mots.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)