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1. (WO2018080615) APPARATUSES INCLUDING MEMORY CELLS AND METHODS OF OPERATION OF SAME
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Pub. No.: WO/2018/080615 International Application No.: PCT/US2017/046585
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 11.08.2017
IPC:
G11C 5/02 (2006.01) ,G11C 11/00 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC.[US/US]; 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83716, US
Inventors: PIROVANO, Agostino; IT
TORTORELLI, Innocenzo; IT
REDAELLI, Andrea; IT
PELLIZZER, Fabio; US
Agent: ANDKEN, Kerrylee; DORSEY & WHITNEY LLP 701 5th Ave Suite 6100 Seattle, Washington 98104, US
ENG, Kimton; US
HAEN, Shannon; US
HEGSTROM, Brandon; US
ITO, Mika; US
MAKINO, Kyoko; US
MEIKLEJOHN, Paul T.; US
NYRE, Erik; US
ORME, Nathan; US
QUECAN, Andrew; US
SPAITH, Jennifer; US
WETZEL, Elen; US
ANDKEN, Kerrylee; US
Priority Data:
15/338,15428.10.2016US
Title (EN) APPARATUSES INCLUDING MEMORY CELLS AND METHODS OF OPERATION OF SAME
(FR) APPAREILS COMPRENANT DES CELLULES MÉMOIRE ET LEURS PROCÉDÉS DE FONCTIONNEMENT
Abstract: front page image
(EN) Disclosed herein is a memory cell including a memory element and a selector device. The memory cell may be programmed with a programming pulse having a first polarity and read with a read pulse having a second polarity. The memory cell may be programmed with a programming pulse having first and second portions. The first and second portions may have different magnitudes and polarities. The memory cell may exhibit reduced voltage drift and/or threshold voltage distribution. Described herein is a memory cell that acts as both a memory element and a selector device. The memory cell may be programmed with a programming pulse having first and second portions. The first and second portions may have different magnitudes and polarities.
(FR) L'invention concerne une cellule mémoire comprenant un élément de mémoire et un dispositif de sélection. La cellule mémoire peut être programmée avec une impulsion de programmation ayant une première polarité et lue avec une impulsion de lecture ayant une seconde polarité. La cellule mémoire peut être programmée avec une impulsion de programmation ayant des première et seconde parties. Les première et seconde parties peuvent avoir des amplitudes et des polarités différentes. La cellule mémoire peut présenter une dérive de tension réduite et/ou une distribution de tension de seuil. L'invention concerne une cellule mémoire agissant à la fois comme un élément de mémoire et un dispositif de sélection. La cellule mémoire peut être programmée avec une impulsion de programmation ayant des première et seconde parties. Les première et seconde parties peuvent avoir des amplitudes et des polarités différentes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)