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1. (WO2018079396) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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Pub. No.: WO/2018/079396 International Application No.: PCT/JP2017/037803
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 19.10.2017
IPC:
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventors: TADA, Haruna; JP
NAKAJIMA, Dai; JP
SANDA, Yasuyuki; JP
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Priority Data:
2016-21289231.10.2016JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN) In a semiconductor device (101), a heat dissipating member (200) is connected to a power module (100). A plurality of recessed portions or a plurality of protruding portions are formed in a metal component (4), and the other of the plurality of recessed portions or the plurality of protruding portions are formed in the heat dissipating member (200). The metal component (4) and the heat dissipating member (200) are integrated with each other at a plurality of protruding-recessed portions where the plurality of recessed portions and the plurality of protruding portions are in contact with each other. First protruding-recessed portions (C1, V1) which are some of the plurality of protruding-recessed portions each have a dimension, in the height direction, greater than that of a second protruding-recessed portion (C2, V2) which is the rest of the plurality of protruding-recessed portions other than the first protruding-recessed portions (C1, V1). Wall surfaces of the first protruding-recessed portions (C1, V1) include: a first wall surface part that has a first inclination angle with respect to the height direction; and a second wall surface part that has a second inclination angle different from the first inclination angle.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (101) dans lequel, un élément de dissipation de chaleur (200) est connecté à un module de puissance (100). Une pluralité de portions évidées ou une pluralité de portions en saillie sont formées dans un composant métallique (4), et l'autre portion parmi la pluralité de portions évidées ou la pluralité de portions en saillie sont formées dans l'élément de dissipation de chaleur (200). Le composant métallique (4) et l'élément de dissipation de chaleur (200) sont intégrés l'un à l'autre au niveau d'une pluralité de portions en saillie-évidées où la pluralité de portions évidées et la pluralité de portions en saillie sont en contact l'une avec l'autre. Des premières portions en saillie-évidées (C1, V1) qui sont certaines de la pluralité de portions en saillie-évidées ont chacune une dimension, dans la direction de la hauteur, supérieure à celle d'une seconde portion en saillie-évidée (C2, V2) qui est le reste de la pluralité de portions en saillie-évidées autres que les premières portions en saillie-évidées (C15, V1). Des surfaces de paroi des premières portions en saillie-évidées (C1, V1) comprennent : une première partie de surface de paroi qui a un premier angle d'inclinaison par rapport à la direction de hauteur; et une seconde partie de surface de paroi qui a un second angle d'inclinaison différent du premier angle d'inclinaison.
(JA) 半導体装置(101)において、放熱部材(200)はパワーモジュール(100)に接続される。金属部品(4)には複数の凹部または凸部のいずれか一方が、放熱部材(200)には複数の凹部または凸部のいずれか他方が形成されている。金属部品(4)と放熱部材(200)とは、複数の凹部と複数の凸部とが接触する複数の凹凸部において一体となっている。複数の凹凸部の一部である第1の凹凸部(C1,V1)は、複数の凹凸部のうち第1の凹凸部(C1,V1)以外の第2の凹凸部(C2,V2)よりも、高さ方向の寸法が大きい。第1の凹凸部(C1,V1)の壁面は、高さ方向に対する第1の傾斜角度を有する第1の壁面部分と、第1の傾斜角度とは異なる第2の傾斜角度を有する第2の壁面部分とを含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)