WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018079350) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING TFT SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/079350 International Application No.: PCT/JP2017/037578
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 17.10.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01Q 3/36 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventors: MISAKI Katsunori; --
Agent: OKUDA Seiji; JP
Priority Data:
2016-21048127.10.2016JP
Title (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING TFT SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT TFT, ANTENNE À BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT TFT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN) This TFT substrate (105) is provided with: a gate metal layer (3) which comprises a gate electrode (3G) and a patch electrode (3PE) of a TFT (10); a gate insulating layer (4) which is formed on the gate metal layer and has a first opening (4a) that reaches the patch electrode; a source metal layer (7) which is formed on the gate insulating layer and comprises a source electrode (7S), a drain electrode (7D) and a drain extension part (7de) extended from the drain electrode of the TFT; an interlayer insulating layer (11) which is formed on the source metal layer and has a second opening (11a) that overlaps the first opening when viewed from the normal direction of a dielectric substrate (1) and a third opening (11b) that reaches the drain extension part; and a conductive layer (19) which is formed on the interlayer insulating layer and comprises a patch-drain connection part (19a). The patch-drain connection part is in contact with the patch electrode within the first opening, while being in contact with the drain extension part within the third opening.
(FR) L'invention concerne un substrat TFT (105) comprenant : une couche métallique de grille (3) qui comprend une électrode de grille (3G) et une électrode patch (3 PE) d'un TFT (10); une couche isolante de grille (4) qui est formée sur la couche métallique de grille et a une première ouverture (4a) qui atteint l'électrode patch; une couche métallique de source (7) qui est formée sur la couche isolante de grille et comprend une électrode de source (7S), une électrode de drain (7D) et une partie d'extension de drain (7de) s'étendant à partir de l'électrode de drain du TFT; une couche isolante intercouche (11) qui est formée sur la couche métallique de source et a une seconde ouverture (11a) qui chevauche la première ouverture lorsqu'elle est vue depuis la direction normale d'un substrat diélectrique (1) et une troisième ouverture (11b) qui atteint la partie d'extension de drain; et une couche conductrice (19) qui est formée sur la couche isolante intercouche et comprend une partie de connexion de drain-patch (19a). La partie de connexion de drain-patch est en contact avec l'électrode patch à l'intérieur de la première ouverture, tout en étant en contact avec la partie d'extension de drain à l'intérieur de la troisième ouverture.
(JA) TFT基板(105)は、TFT(10)のゲート電極(3G)およびパッチ電極(3PE)を含むゲートメタル層(3)と、ゲートメタル層上に形成され、パッチ電極に達する第1開口部(4a)を有するゲート絶縁層(4)と、ゲート絶縁層上に形成され、TFTのソース電極(7S)、ドレイン電極(7D)およびドレイン電極から延設されたドレイン延設部(7de)を含むソースメタル層(7)と、ソースメタル層上に形成された層間絶縁層(11)であって、誘電体基板(1)の法線方向から見たとき第1開口部に重なる第2開口部(11a)と、ドレイン延設部に達する第3開口部(11b)とを有する層間絶縁層と、層間絶縁層上に形成され、パッチドレイン接続部(19a)を含む導電層(19)とを有する。パッチドレイン接続部は、第1開口部内でパッチ電極と接触し、第3開口部内でドレイン延設部と接触している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)