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Pub. No.:    WO/2018/079296    International Application No.:    PCT/JP2017/037119
Publication Date: 03.05.2018 International Filing Date: 13.10.2017
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
Inventors: YOKOGAWA Sozo; (JP).
ITO Mikinori; (JP).
Agent: NISHIKAWA Takashi; (JP).
INAMOTO Yoshio; (JP)
Priority Data:
2016-210295 27.10.2016 JP
(JA) 撮像素子及び電子機器
Abstract: front page image
(EN)The present technique relates to: a backside-illuminated imaging element which is able to have improved sensitivity with respect to infrared light; and an electronic device. An imaging element according to the present invention is provided with: a semiconductor substrate which is provided with a photoelectric conversion part; a wiring layer which is arranged on a surface of the semiconductor substrate, said surface being on the reverse side of the light-receiving surface, and which comprises a wiring line and a reflective film; and an insulating film which is laminated between the semiconductor substrate and the wiring layer. The reflective film is arranged between the insulating film and the wiring line, and overlaps at least a part of the photoelectric conversion part of each pixel in a first direction that is the lamination direction of the semiconductor substrate and the wiring layer; and a first interlayer film between the insulating film and the reflective film is thicker than the insulating film. The present technique is applicable, for example, to a backside-illuminated CMOS image sensor.
(FR)La présente technique concerne : un élément d'imagerie rétroéclairé qui peut avoir une sensibilité améliorée par rapport à la lumière infrarouge; et un dispositif électronique. Un élément d'imagerie selon la présente invention comprend : un substrat semi-conducteur qui comprend une partie de conversion photoélectrique; une couche de câblage qui est disposée sur une surface du substrat semiconducteur, ladite surface étant sur le côté opposé de la surface de réception de lumière, et qui comprend une ligne de câblage et un film réfléchissant; et un film isolant qui est stratifié entre le substrat semiconducteur et la couche de câblage. Le film réfléchissant est disposé entre le film isolant et la ligne de câblage, et chevauche au moins une partie de la partie de conversion photoélectrique de chaque pixel dans une première direction qui est la direction de stratification du substrat semiconducteur et de la couche de câblage; et un premier film intermédiaire entre le film isolant et le film réfléchissant est plus épais que le film isolant. La présente invention est applicable, par exemple, à un capteur d'image CMOS rétroéclairé.
(JA)本技術は、裏面照射型の撮像素子において、赤外光に対する感度を向上させることができるようにする撮像素子及び電子機器に関する。 撮像素子は、光電変換部が形成されている半導体基板と、前記半導体基板の受光面と反対側に配置され、配線及び反射膜を備える配線層と、前記半導体基板と前記配線層との間に積層されている絶縁膜とを備え、前記反射膜は、前記絶縁膜と前記配線との間に配置され、前記半導体基板と前記配線層とが積層される方向である第1の方向において、各画素の前記光電変換部の少なくとも一部と重なり、前記絶縁膜と前記反射膜との間の第1の層間膜が、前記絶縁膜より厚い。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSイメージセンサに適用できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)